'삼성공장' 설계도 유출한 前 임원, 이번엔 中과 '20나노D램' 생산

정세진 기자 2023. 10. 25. 18:07
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중국에 삼성전자 반도체 공장을 복제한 제조시설을 지으려다 적발된 삼성전자 전 임원 최모씨(65)가 또 국내 기술과 인력을 유출하려 한 정황을 경찰이 포착했다.

최씨는 구속됐지만 중국 현지에선 여전히 유출된 삼성전자 기술을 활용해 20나노급 D램을 만들고 있다.

경찰에 따르면 CHJS는 최씨 구속 이후에도 시안의 '복제공장'에서 삼성전자20나노급 D램 반도체 기술을 적용해 자체적으로 20나노급 D램을 생산하고 있다.

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서울 강남구 삼성전자 서초사옥 딜라이트룸에 전시된 반도체 웨이퍼./사진=뉴스1

중국에 삼성전자 반도체 공장을 복제한 제조시설을 지으려다 적발된 삼성전자 전 임원 최모씨(65)가 또 국내 기술과 인력을 유출하려 한 정황을 경찰이 포착했다. 최씨는 구속됐지만 중국 현지에선 여전히 유출된 삼성전자 기술을 활용해 20나노급 D램을 만들고 있다.

서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 등 혐의로 최씨와 전직 삼성전자 수석 연구원, 전 SK하이닉스 임원, 반도체 관련 교수 등 10여명을 입건해 수사 중이라고 25일 밝혔다.

앞서 지난 6월 수원지방검찰청은 2018년 대만기업 F사로부터 약 8조원을 투자받아 중국 시안시에 삼성전자 반도체 공장 설계도를 기반으로 '복제 공장'을 만들려 해 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 ) 혐의로 최씨를 구속기소 했다.

당시 최씨는 F사 투자가 무산되자 중국 청두시로부터 2021년쯤 약 4600억원을 투자받았다. 최씨가 만든 기업 진세미는 청두시와 합작회사인 CHJS(청두가오전 하이테크놀로지)를 만들었다. CHJS는 청두시에 최씨 일당이 유출한 삼성전자 반도체 공장 기술을 바탕으로 복제공장을 만들어 운영하고 있다.

검찰이 최씨를 구속 기소할 땐 청두시와 합작해 유출한 인력과 기술을 활용해 반도체를 생산한 혐의(산업기술보호법 위반 등)에 대해선 제외했다.

경찰에 따르면 CHJS는 최씨 구속 이후에도 시안의 '복제공장'에서 삼성전자20나노급 D램 반도체 기술을 적용해 자체적으로 20나노급 D램을 생산하고 있다.

최씨 일당은 삼성전자 반도체 공장 설계정보뿐만 아니라 700~800단계에 이르는 삼성전자 20나노급 D램 반도체 제조 공정을 유출해 CHJS의 D램 생산을 도왔다.

경찰 관계자는 "최근 진세미가 수율(완성된 반도체 제품 중 불량품 비율)이 안 나와 청두시와 결별했다는 보도가 나오기도 했다"며 "CHJS의 합작 관계 청산 후 중국의 또 다른 반도체 기업이 인수한다는 소식도 있지만 이 역시 모두 한국 기술이 중국 기업에 넘어간다는 의미"라고 말했다.

경찰은 지난달부터 삼성전자 전 수석 연구원 등 관계자의 자택과 사무실에 대한 압수수색 영장을 집행했다.또 경찰은 최씨와 중국 청도시의 합작 법인과 연계된 불법 헤드헌팅 업체를 통해 중국에 건너간 반도체 전문가가 200여명에 이르는 것으로 확인했다. 이들이 기술유출과 관련돼 있는지 내사(입건 전 조사) 중이다.

정세진 기자 sejin@mt.co.kr

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