SK하닉 최신 모바일 D램, 업계 최초 美퀄컴 성능 검증

현존 최고 속도 'LPDDR5T', 스냅드래곤8 3세대 호환성 인증
전력 효율도 강점…"AI 시대, 스마트폰 성능 향상 기여할 것"

[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스의 현존 최고 속도의 모바일용 저전력(LPDDR) D램이 퀄컴 등 고객사로부터 성능 검증을 마치고, 출시를 앞두고 있다.

SK하이닉스는 25일 모바일 D램인 'LPDDR5T'(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)가 업계 최초로 미국 퀄컴의 최신 모바일 AP(애플리케이션프로세스)인 '스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼'에 적용할 수 있다는 인증을 받았다고 밝혔다.

이 제품은 7세대 저전력 D램(LPDDR)인 'LPDDR5X'의 성능 업그레이드 제품으로, SK하이닉스가 지난 1월 세계 최초로 개발했다.

동작 속도는 업그레이드 전인 8.5Gbps보다 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6 기가비트)를 기록했다. 이 제품 단품 칩을 결합해 만든 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 제품 개발 완료 직후 지난 9개월여간 협력 파트너 회사인 퀄컴과 호환성 검증 작업을 진행해 왔다. 이를 통해 양사는 LPDDR5T와 퀄컴의 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼이 결합한 스마트폰에서 두 제품 모두 우수한 성능을 발휘한다는 결과를 확인했다.

퀄컴 지아드 아즈가(Ziad Asghar) 수석 부사장(Product Management 담당)은 "스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 AI 기반의 대규모 언어 모델(LLM)과 대규모 시각 모델(LVM)을 저전력에서 지연 없이 구동시킨다"며 "스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 최고속 모바일 D램이 결합해 스마트폰 사용자들이 놀라운 AI 기능을 경험할 수 있게 될 것"이라 밝혔다.

SK하이닉스의 LPDDR5T는 속도뿐 아니라 전력 소모 측면에서도 강점을 보유한 제품이다.

SK하이닉스 기술진은 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선하기 위해, 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용한 차세대 공정 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용했다. 이 제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다. LPDDR5T가 글로벌 유력 통신용 칩 기업인 퀄컴을 비롯한 주요 모바일 AP 기업들로부터 성능 검증을 마친 만큼, 앞으로 모바일 기기에 적용되는 범위는 급속히 넓어질 것으로 회사 측은 전망했다.

SK하이닉스 류성수 부사장(D램상품기획담당)은 "앞으로 스마트폰은 AI 기술이 구현되는 핵심 기기로 성장할 것으로 전망되며, 이를 위해서는 모바일용 D램을 통해 스마트폰 성능이 계속해서 향상돼야 한다"며 "당사는 퀄컴과의 협력을 지속 강화해 이 분야 기술력을 높여가도록 노력하겠다"고 말했다.

☞공감언론 뉴시스 ijoinon@newsis.com

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