中, 美 제재로 범용 반도체 생산 주력...세계 3분의 1 차지

DB하이텍, PSMC, 뱅가드 등 8인치 파운드리에 영향 미칠 듯

(지디넷코리아=이나리 기자)중국이 4년 뒤인 2027년 전세계 레거시(범용) 반도체 생산량에서 3분의 1을 차지한다는 전망이 나왔다.

이는 미국이 중국에 첨단 반도체 기술 공급을 제재함에 따라 중국이 전력반도체, 이미지센서(CIS) 등 레거시 공정으로 생산되는 반도체에 더 주력할 것이란 관측 때문이다. 이는 국내 DB하이텍을 비롯해 PSMC, 뱅가드(VIS) 등 8인치 파운드리 업체에 영향을 줄 전망이다. 

반도체 팹(사진=TSMC)

시장조사업체 트렌드포스는 전세계 레거시 반도체 생산 시장에서 중국 비중이 올해 29%에서 2027년 33%로 성장할 것이라고 전망했다. 중국 파운드리 업체 SMIC, 화홍그룹, 넥스칩 등이 주축으로 생산량을 늘릴 것으로 보인다.

반면 같은 기간 대만의 레거시 반도체 생산 비중은 올해 49%에서 2027년 42%로 줄어들 것으로 전망된다. 또 2023년부터 2027년까지 전세계 반도체 생산용량에서 레거시 공정(28나노미터 이상)과 고급 공정(16나노 이하) 비율은 7:3이 예상된다. 

트렌드포스는 “중국은 현지 제조 입지를 강화하기 위해 글로벌 및 국내 IC 설계자에게 적극적으로 지원하고 있다”며 “중국의 대규모 생산시설 확장은 잠재적으로 글로벌 반도체 가격 경쟁을 촉진할 가능성이 높다”고 진단했다.

이어 “특히 중국은 드라이버 IC, 이미지센서(CIS), 영상신호처리(ISP) 반도체, 전력반도체 등의 생산량을 늘리고 있다. DB하이텍, PSMC, 뱅가드(VIS) 등 유사한 프로세스 플랫폼과 8인치 파운드리 용량을 갖춘 제조업체는 고객 감소, 가격 압박 등에 직면할 수 있다”고 전망했다.

2027년 지역별 구형 반도체 생산용량 전망(표=지디넷코리아)

CIS 반도체 생산에서는 TSMC, 삼성전자, UMC 등이 선두주자이지만, 최근 SMIC 넥스칩 등 중국 업체들이 빠르게 격차를 좁히고 있다. 중국 정부의 정책에 따라 현지 스마트폰 업체인 오포, 비보, 샤오미 등은 옴니비전, 갤럭시코어, 스마트센스와 같은 중국 업체의 CIS를 사용량을 늘리고 있기 때문이다. 

또 중국은 MOSFET 및 IGBT와 같은 전력 반도체에서도 생산량을 늘리면서 가격 경쟁력을 확보했다. 

트렌드포스는 "중국이 전력 반도체 생산 능력을 대폭 늘리면서 전력 디스크리트(Power Discrete) 제조 부문 글로벌 경쟁이 더욱 심화됐다"고 말했다. 

이나리 기자(narilee@zdnet.co.kr)