더 높이 올라간 건 SK하이닉스인데 삼성이 세레모니 한 이유 [MK위클리반도체]
[오찬종 기자의 위클리반도체-74번째 이야기]
IT 업계와 관련 투자 소식에 관심이 많은 독자 여러분 안녕하세요. 이번 주 가장 화제가 된 소식은 이정배 삼성전자 사장이 보낸 ‘뉴스레터’였습니다. 이번 메시지는 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’를 앞두고 보내는 예고장이기 때문에 더 많은 관심을 모았는데요.
반도체 전문 용어를 쉽게 풀어서 삼성 메모리 반도체 수장이 전하는 메시지를 쉽게 해석해 보겠습니다.
낸드는 D램과 달리 전원이 없는 상태에서도 데이터가 저장되는 메모리를 말합니다. 낸드의 적층수가 높을수록 같은 면적에 고용량을 구현할 수 있어 기술력의 척도가 되죠.
업계에선 낸드 경쟁이 더욱 치열해질 것으로 내다보고 있습니다. 앞서 지난 8월 SK하이닉스가 미국 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초로 321단 낸드를 공개하며 본격적으로 300단 시대 경쟁에 불을 붙였죠.
SK하이닉스와 달리 삼성전자는 구체적으로 본인들 낸드의 층수를 공개하진 않습니다. 대신 ‘세대’라는 용어를 통해 전작과 차별화를 두죠. 앞서 삼성이 발표한 8세대는 236단 정도로 알려져 있습니다. 이번에 삼성에서 내놓은 9세대 제품은 280단~290단 대로 알려져 있습니다.
‘어? 그럼 321단으로 더 높은 SK하이닉스가 삼성전자보다 더 경쟁력이 강한 거 아닌가?’ 의문이 들 수 있죠. 이미 두 달 전에 경쟁사가 더 높은 층수의 제품을 발표했는데 이 사장이 굳이 자신 있게 신작에 관한 얘기를 꺼낸 이유는 뭘까요?
SK하이닉스는 다른 세 개의 칩을 만든 뒤 세로로 잇는 ‘트리플스택’ 방식이 적용된 것으로 알려졌습니다. 하지만 이 사장은 이번 세대 제품에서 ‘더블 스택’을 적용했다고 강조했죠. 두 덩어리의 블록으로 300단 수준의 제품을 만들었다는 의미입니다.
블록 하나당 들어가 있는 층수가 타사는 100~120개인데 비해 삼성은 130~140층 수준으로 밀도가 높다는 뜻입니다. 트리플 스택에 비해 2개의 스택만 서로 붙이면 되기 때문에 생산시간과 공정 수, 원자재를 대폭 줄일 수 있어 원가 절감에 상당히 유리합니다.
당초 삼성전자는 지난해만 해도 2024년 중 양산이 목표라고 밝혔습니다. 하지만 이번 이 사장의 기고문에서 그 시점이 내년 초로 매우 당겨졌음을 강조한 것이죠. SK하이닉스보다 최소 1년 차세대 제품을 먼저 시장에 공급하게 되는 셈입니다.
삼성전자, SK하이닉스 등 국내 대표 기업들부터 TSMC와 인텔까지!
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