삼성전자, 실리콘밸리서 “1000단 낸드시대 열겠다”

고대역폭메모리 신제품 선보여

삼성전자가 20일(현지 시각) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션 센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023′을 열고 인공지능(AI) 시장 공략을 위한 차세대 반도체 제품과 기술 로드맵을 공개했다.

삼성전자는 이날 수요가 급증하고 있는 고대역폭메모리(HBM) 신제품 ‘샤인볼트’ 시제품을 선보였다. 현재 시중에 판매되고 있는 HBM 중 가장 앞선 5세대(HBM3E) 제품이다. 양산 시점은 확정되지 않았지만, 반도체 업계에선 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 내년 상반기 동급의 제품을 양산할 계획이어서 삼성전자도 양산 시점을 최대한 서두를 것이라는 분석이 나온다. 샤인볼트는 데이터 처리 속도가 초당 1.2TB(테라바이트)로, SK하이닉스 동급 제품(1.15TB)보다 빠르다. 삼성전자는 2025년 양산을 목표로 차세대 HBM인 HBM4도 개발하고 있다고 밝혔다. HBM4부터는 2025~2026년 초 양산을 계획 중인 SK하이닉스를 앞서가겠다는 것이다.

삼성전자는 이날 업계 최대 용량 D램 제품인 ‘32Gb(기가비트) DDR5′도 전시했다. 기존 제품에서 용량을 2배로 늘려, 작은 면적에도 대용량 메모리 제품을 만들 수 있는 것이 특징이다. 데이터 전송 속도를 높이고, 전력 소모는 줄인 그래픽용 D램 신제품 ‘GDDR7′도 선보였다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “메모리 사업 초격차를 유지하겠다”며 “10나노 이하 D램 공정에서 (반도체를 높게 쌓는) 3D 구조를 도입해 단일 칩에서 100Gb 이상 용량을 확장하고, 낸드플래시 분야도 단수를 높이는 기술을 고도화해 ‘1000단 낸드 시대’를 열겠다”고 했다.