삼성 5세대 HBM '샤인볼트' 공개

실리콘밸리'메모리 테크데이'
초당 1.2TB 데이터처리 가능
차량 메모리 1위 포부도 밝혀

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 발표를 하고 있다. 삼성전자

삼성전자가 5세대 고대역폭메모리 제품(HBM3E)을 처음 공개하며 인공지능(AI) 반도체 시장을 정조준하고 나섰다. HBM은 여러 개 D램을 수직 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올린 제품이다. 삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 HBM3E D램인 샤인볼트를 선보였다. 차세대 제품인 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps(초당 기가비트) 성능을 갖췄다. 초당 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다.

여기에 비전도성 접착 필름(NCF) 기술을 최적화해 칩 사이를 빈틈없이 채워 넣었다. 이를 통해 높은 적층을 구현하면서 열전도를 극대화했다. 삼성전자는 "현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산하고 있으며 HBM3E인 샤인볼트도 고객에게 샘플을 전달하고 있다"고 밝혔다.

삼성전자는 압도적 기술력으로 D램·낸드플래시 1위 자리를 지키겠다는 의지를 밝혔다. 특히 11나노(1㎚는 10억분의 1m) D램은 업계 최대 수준 집적도를 목표로 하고 있다. 또한 10나노 이하에선 3D 신구조를 도입해 단일 칩에서 100Gb 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 9세대 낸드플래시는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발해 내년 초에 양산한다. 스택은 맨 위와 아래에 있는 셀을 한 묶음으로 만드는 것이다. 스택 두 개를 쌓는 더블 스택 구조는 상대적으로 공정이 적어서 시간과 비용을 아낄 수 있다. 삼성전자는 2030년까지 1000단 V낸드를 개발할 계획이다.

또한 2025년에 전장 메모리 시장 1위를 거머쥐겠다고 선언했다. 이를 위해 삼성전자는 탈·부착이 가능한 차량용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 선보였다. 해당 제품은 SSD를 나눠 여러 시스템온칩(SoC)이 사용할 수 있는 데다 손쉽게 교체할 수 있는 것이 특징이다. 이 밖에 삼성전자는 현존 최대 용량인 32Gb 더블데이터레이트(DDR5)를 비롯해 업계 최초 32Gbps 그래픽스더블데이터레이트(GDDR7), 페타바이트급 초용량 솔루션 PBSSD 등 혁신 제품을 선보였다.

테크 데이에 참석한 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 "고객·파트너와 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속적으로 선도해 나갈 것"이라며 자신감을 드러냈다.

[성승훈 기자 / 실리콘밸리 이덕주 특파원]