삼성전자, 실리콘밸리서 차세대 HBM '샤인볼트' 첫 공개

20일 '삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최
'메모리 역할의 재정의' 주제로 차세대 메모리 솔루션 선봬
클라우드·에지 디바이스 등 응용처별 기술 트렌드 공유
"2025년 전장 메모리시장 1위 달성"

[이데일리 최영지 기자] 삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 개최해 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다고 밝혔다.

10월 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 메모리사업부 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. (사진=삼성전자)

삼성전자(005930)가 ‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 열린 이번 행사에는 글로벌 정보기술(IT)업계 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명이 참석했다. 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장과 짐 엘리엇 미주총괄 부사장을 비롯 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

삼성전자는 이날 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’ △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 ‘LPDDR5X CAMM2’ △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 차별화된 메모리 솔루션을 공개했다.

이정배 사장은 이날 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다. 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다.

삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

또 이번 행사에서 차세대 HBM3E D램인 샤인볼트를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성 또한 개선했다.

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 2016년 업계 최초로 고성능 컴퓨팅(HPC)용 HBM2를 상용화하며 HBM 시대를 열었다. 계속해서 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

이외에도 △현존 최대 용량 ‘32Gb DDR5 D램’ △업계 최초 ‘32Gbps GDDR7 D램’ △저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 ‘PBSSD’ 등을 소개했다.

삼성전자는 이어 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’를 공개하며 차량용 핵심 솔루션이라고 소개했다. 자율 주행 시스템의 고도화에 따라 차량용 메모리 시장에서는 고대역폭, 고용량 D램과 여러 개의 SoC(시스템온칩)와 데이터를 공유할 수 있는 Shared SSD 등이 요구되고 있다.

이정배 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라며 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

최영지 (young@edaily.co.kr)

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