차세대 HBM '샤인볼트' 첫 공개···삼성 'AI 패권' 선언

美서 '메모리 테크데이' 개최

20일(현지 시간) 삼성전자가 미국 실리콘밸리 새너제이 매커너리컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이’를 연 가운데 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장이 차세대 HBM 시대 비전을 제시하고 있다. 사진 제공=삼성전자

[서울경제]

20일(현지 시간) 삼성전자가 미국 실리콘밸리 새너제이 매커너리컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이’를 연 가운데 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장이 차세대 HBM 시대 비전을 제시하고 있다. 사진 제공=삼성전자

삼성전자가 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E ‘샤인볼트’를 미국에서 처음으로 공개했다.

차세대 HBM에서 패권을 거머쥘 것이라는 의지도 분명히 했다.

20일(현지 시간) 삼성전자는 미국 실리콘밸리 새너제이 매커너리컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이’를 열고 초거대 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 솔루션 샤인볼트를 선보였다.

샤인볼트는 데이터 입출력 핀 한 개당 최대 9.8Gbps의 속도를 구현한다. 이는 초당 1.2TB(테라바이트)의 속도로, 30GB(기가바이트) 용량의 초고화질(UHD) 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 기조 연설에서 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라며 “AI향 HBM 시장의 초석이 된 만큼 최고 성능의 HBM을 제공하게 될 것”이라고 밝혔다.

이날 행사에는 글로벌 정보기술(IT) 고객과 파트너 등 600여 명이 참석했다.

올 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 특히 10나노 이하 D램에서 3차원(3D) 신구조 도입을 준비하고 있으며 이를 통해 단일 칩에서 100GB 이상으로 용량을 늘릴 계획이다.

실리콘밸리=정혜진 특파원 madein@sedaily.com강해령 기자 hr@sedaily.com