"초거대 AI 시대 주도" 삼성전자, 차세대 메모리 자신감

삼성전자, '삼성 메모리 테크 데이 2023' 개최
3차원 D램·차세대 낸드 등 시장 선도기술 선봬
초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'도 본격 첫 선
차량용 SSD·저전력 기술 등 응용처별 신기술도

[서울=뉴시스]삼성전자는 20일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다. 이정배 메모리사업부 사장이 발표를 하고 있는 모습. (사진=삼성전자 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 글로벌 IT 기업이 즐비한 실리콘밸리에서 초거대 AI(인공지능) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

삼성전자는 20일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다. 메모리 테크는 삼성전자가 매년 개최하는 메모리 신제품과 미래 기술을 공개하는 행사다.

올해 행사는 '메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로, 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석한 가운데 열렸다.

초거대 AI의 출현으로 데이터 저장장치는 테라바이트(TB)의 시대를 넘어 페타(PB·1000TB)와 엑사(EB·1000PB)의 시대로 넘어가고 있다.

삼성전자는 이번 행사를 통해 방대한 데이터를 빠르고, 쉽게 처리하려는 글로벌 IT 고객의 요구에 부응할 수 있는 다양한 최신 메모리 로드맵을 공개했다. 또 응용처별 차세대 메모리를 소개하며 업계 최고의 기술 경쟁력을 자신했다.

[서울=뉴시스]삼성전자는 20일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다. '삼성 메모리 테크 데이 2023' 현장 부스 사진. (사진=삼성전자 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

10나노 이하 D램·1000단 낸드도 ‘초격차’ 자신감

삼성전자는 특히 이날 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통한 초미세 한계 극복을 선언해 주목을 받았다.

삼성전자가 현재 개발 중인 차세대(6세대) 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 하고 있다. 메모리는 작게 만들수록 전력 효율과 성능이 높아지는 경향이 있어, 집적도가 제품의 핵심 경쟁력이다.

이어 10나노 이하 D램은 3D(3차원) 신구조 도입을 준비 중이다. 메모리를 얇게 수직으로 쌓아 단일 칩으로도 100Gb(기가비트) 이상의 용량을 확보할 수 있다. 메모리의 크기는 유지하면서도 고성능, 고용량, 저전력 반도체를 만들 수 있는 기술이다.

삼성전자는 또 차세대 낸드 플래시인 9세대(300단 이상) V낸드는 두 번에 나눠 쌓아 올리는 '더블 스택(Double Stack)' 구조를 채택했다고 밝혔다. 이 기술은 경쟁사의 '트리플 스택(Triple Stack)' 대비 원가 경쟁력 면에서 앞선다는 업계의 평가를 받고 있다.

삼성전자는 이를 통해 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 설명했다. 이에 따라 삼성전자가 내년 초 업계 최초로 9세대 낸드 양산에 들어갈 가능성이 커졌다. 삼성전자는 이어 '1000단 V낸드'까지 초고층 낸드 시대를 선도하겠다는 입장을 밝혔다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이며 "무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌겠다"고 강조했다.

'[서울=뉴시스]삼성전자는 20일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산호세 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다. 삼성전자 차세대 고대역폭메모리인 HBM3E D램.(사진=삼성전자 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

"차세대 HBM3E 샘플 전달"…고객 확보 경쟁 '출사표'

삼성전자는 이날 초고성능 차세대 고대역폭메모리인 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'도 공개했다.

'샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도이다. 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 현재 시장 주력 제품인 HBM3의 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다. 또 HBM D램을 회사의 최첨단 패키지 기술, 파운드리과 결합해 고객사에 맞춤형 턴키 서비스로 제공한다는 계획이다.

이외에도 ▲32Gb DDR5 D램 ▲32Gbps GDDR7 D램 ▲7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module) 등 업계 최고·최초 제품들을 대거 선보여 참석자들의 이목을 집중 시켰다.

삼성전자는 탈부착 가능한 신개념 차량용 SSD(솔리드스테이트드라이브) 'Detachable AutoSSD'도 이날 공개했다. 이 장치는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 분할해 여러 개의 SoC(시스템온칩)을 사용할 수 있다.

이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도와 4TB 고용량을 제공하며, 성능 업그레이드가 쉽다는 장점을 가졌다.

삼성전자는 초저전력 기술과 초고용량 PBSSD(페타SSD) 등을 통해 고객의 에너지 절감에 기여하겠다는 포부도 밝혔다. 삼성전자는 "반도체 공급망 내에서 고객, 협력사 등 이해관계자와의 협력을 통해 지속 가능하게 하는 기술을 통해 글로벌 기후위기 극복에 적극 동참하겠다"고 강조했다.

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