삼성전자, AI 혁신 이끌 D램 HBM3E '샤인볼트' 첫 선

실리콘밸리서 '메모리테크데이' 개최···차세대 메모리반도체 대거 공개

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 인공지능(AI) 기술 혁신을 이끌 차세대 고대역폭메모리(HBM) D램을 선보이며 HBM 시장 공략에 대한 의지를 드러냈다.

삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리에 있는 맥에너리 컨벤션 센터에서 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 개최하고, AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다. 이날 삼성전자는 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2' △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 '탈부착 가능한 차량용 SSD(Detachable AutoSSD)'등 메모리 솔루션을 공개했다.

이정배 사장이 지난해 10월 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 발표를 하고 있. [사진=삼성전자]

특히, 삼성전자는 이날 차세대 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)'를 처음 공개했다. '샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있다.

삼성전자는 NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했다. 열전도도 극대화해 열 특성 또한 개선했다.

삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다. 또 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이다. 아울러 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있다. 이를 통해 단일 칩에서 100기가비트(Gb) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

이와는 별도로 이 회사는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발하고 있다. 이와관련, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다. 삼성전자는 또 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나갈 방침이다.

업계에 따르면 클라우드 시스템은 컴퓨팅 자원을 최적화해 사용할 수 있는 구조로 변화하고 있다. 이에 따라 시스템의 고성능화를 지원할 수 있는 고대역폭, 저전력 메모리와 다중 접속을 위한 스토리지 가상화 등이 필요해지고 있다. 자율 주행 시스템의 고도화에 따라 차량용 메모리 시장에서는 고대역폭, 고용량 D램과 여러 개의 시스템온칩(SoC) 데이터를 공유할 수 있는 SSD 등의 수요가 늘고 있다.

차량용 반도체 분야에서는 삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 '탈부착 가능한 차량용 SSD(Detachable AutoSSD)'를 공개했다. 이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기를 할 수 있다. 용량은 4TB다. 또한 탈부착할 수 있는 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드도 쉽다.

이정배 메모리사업부 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "고객·파트너와 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나가겠다"고 강조했다.

/민혜정 기자(hye555@inews24.com)