삼성 “차세대 칩으로 AI시장 주도”… ‘영화 40편을 1초에 처리’ D램 공개

삼성, 美서 ‘메모리 테크 데이’

20일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 차세대 혁신 기술들을 소개하고 있다. 삼성전자 제공

“초거대 인공지능(AI) 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차한다. 반도체업계에는 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것입니다.”

20일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’에서 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 AI 시장의 중요성을 이렇게 강조했다. 삼성전자는 데이터 처리량이 급격히 증대되는 ‘초거대 AI’ 시장을 장악하기 위한 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다. 세계 1위 메모리 반도체 기업으로서 메모리 패러다임을 계속 주도하겠다는 전략이다.

초거대 AI 시대에는 방대한 데이터를 연산 장치와 빠르게 주고받는 기술과 이 과정에서 전력 소비를 어떻게 최소화할지 등이 핵심이다. 삼성전자는 이날 5세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM3E D램 ‘샤인볼트’를 처음 선보였다. 샤인볼트는 초당 1.2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 30GB(기가바이트) 용량의 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있다는 뜻이다.

삼성전자는 차세대 11나노(n·1n는 10억분의 1)급 D램을 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다. 또 10나노 이하 D램에서 3차원(3D) 신구조 도입을 준비하고 있다고 소개했다. 이 기술 개발이 상용화되면 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상의 용량을 확보할 수 있다. 삼성전자는 지난달 12나노급으로 개발한 현존 최대 집적도의 D램 신제품(32Gb)을 내놨다. 3D 신구조가 개발될 경우 용량을 3배 이상으로 끌어올릴 수 있게 된다.

낸드플래시의 경우 9세대 V낸드(수직으로 쌓아올린 메모리)에서 더블 스택 구조(낸드 2개를 붙여 단수를 높이는 기술)로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이라고 공개했다. 삼성전자는 이 신규 낸드 제품을 내년 초에 양산하겠다는 목표를 밝혔다.

자율주행 시스템의 고도화에 효율적으로 대응할 수 있는 방안도 제시됐다. 탈부착이 가능한 차량용 솔리드스테이트드라이브(SSD·저장장치)가 그것이다. 원래는 시스템별로 별도의 SSD가 필요했다. 이번 신제품은 하나의 저장장치가 ‘시스템의 두뇌’ 역할을 하는 시스템온칩(SoC·여러 시스템을 구현하는 단일 칩) 여러 개와 연결된다. 차량 내 전장 설계가 그만큼 간단해지는 것이다. 탈부착이 가능해 상황에 따라 용량을 쉽게 높일 수도 있다.

이 사장은 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌겠다”며 “고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속적으로 선도해 나갈 것”이라고 말했다.

변종국 기자 bjk@donga.com