삼성전자, 5㎚ 내장형M램 개발… 독일 파운드리 포럼서 로드맵 제시
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삼성전자가 오는 2027년까지 '5나노(㎚) 내장형 M램(eM램)'을 개발하기로 하는 등 구체적인 전장 솔루션 로드맵을 제시했다.
삼성전자가 5나노 eM램 개발 계획을 밝힌 것은 차량용 반도체 업계에서는 처음이다.
삼성전자는 이날 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다.
삼성전자는 2026년 8나노, 2027년 5나노까지 eM램 포트폴리오를 확대할 계획이다.
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삼성전자가 오는 2027년까지 ‘5나노(㎚) 내장형 M램(eM램)’을 개발하기로 하는 등 구체적인 전장 솔루션 로드맵을 제시했다. eM램은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작이 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다. 삼성전자가 5나노 eM램 개발 계획을 밝힌 것은 차량용 반도체 업계에서는 처음이다. 이를 통해 전장 솔루션 포트폴리오를 확대하고 차세대 전장 파운드리 기술을 선도한다는 계획이다.
삼성전자는 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 이런 내용을 뼈대로 한 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율 주행차 시대를 선도하겠다”고 말했다.
삼성전자는 이날 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 삼성전자는 2026년 8나노, 2027년 5나노까지 eM램 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eM램의 경우 이전 14나노 대비 집적도는 30%, 속도는 33% 증가할 것으로 기대된다.
이예린 기자 yrl@munhwa.com
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