삼성, 전장용 5나노 차세대 메모리 개발…패키징 파트너도 20곳 확보

자동차 산업의 메카 유럽(독일 뮌헨)에서 포럼 개최
최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략

19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에 참석한 고객과 파트너 관계자가 현장 등록을 하고 있다 .[삼성전자 제공]

[헤럴드경제=김지헌 기자] 삼성 파운드리가 전장 시장 확대를 위해 업계 최초로 5나노미터(1나노미터는 10억분의 1m) eM램(내장형 M램) 등 차세대 메모리 개발에 박차를 가한다. 패키징 경쟁력 강화를 위해 MDI(멀티 다이 통합) 얼라이언스 파트너 20곳을 확보하며, 생태계 강화에도 속도를 낸다.

삼성전자는 19일(현지시간), 글로벌 자동차 산업의 메카 유럽(독일 뮌헨)에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고, 업계 최초로 5나노 eM램 개발 계획을 밝히는 등 차세대 전장 파운드리 기술을 선도하겠다는 포부를 밝혔다. eM램은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체이다.

삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eM램을 탑재한 제품을 양산한 바 있다. FD-SOI 기술을 사용하면 반도체 트랜지스터 동작시 발생하는 누설 전류를 크게 줄일 수 있다.

현재 2024년 완료를 목표로 ‘AEC-Q100 그레이드(Grade) 1’에 맞춰 핀펫 공정 기반 14나노 eM램을 개발 중이다. AEC-Q100은 자동차 부품 협회에서 자동차 전자 부품에 대한 신뢰성 평가 절차 및 기준을 규정한 것으로 전 세계에서 통용되는 기준이다.

여기서 나아가 2026년 8나노·2027년 5나노까지 eM램 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eM램의 경우, 이전 14나노 대비 집적도 30%, 속도 33%가 증가할 것으로 기대된다.

삼성전자는 8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화한다. 삼성전자는 현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대하며, 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다. 또한, DTI(딥 트렌치 아이솔레이션) 기술을 활용해 전장 관련 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트(Volt)에서 120볼트로 높일 예정이며, 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공할 계획이다.

이와 함께 삼성전자는 SAFE 파트너, 메모리, 패키지 기판, 테스트 전문 기업 등 20곳의 파트너와 함께 최첨단 패키지 협의체 MDI(멀티 다이 통합) 얼라이언스를 구축했다. 최첨단 패키지 협의체를 주도하며 전장과 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 응용처별 차별화된 2.5D, 3D 패키지 솔루션을 개발해 나갈 예정이다.

삼성전자는 지난 9월 초 IAA 행사에 이어 이번 포럼에서도 유럽 고객과의 협력을 확대하며 전장 분야 핵심 파트너로서의 입지를 강화해 나가고 있다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(마이크로 컨트롤러 유닛) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획”이라며 “삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 이번 독일과 미국(6월), 한국(7월) 외 지난 17일, 일본에서도 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 개최했으며, 오프라인 행사에 참석하지 못한 글로벌 고객을 위해서 11월 2일부터 올해 말까지 삼성전자 반도체 공식 홈페이지에 행사 내용을 공개할 계획이다.

시장조사기관 옴디아에 따르면, 2022년 전 세계 차량용 반도체 시장은 635억달러를 넘어섰으며, 2026년까지 962억달러 규모가 될 것으로 예상된다.

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