2나노 車 반도체 공략…삼성전자, 유럽으로 '전장 영토' 확장

[최시영 삼성전자 파운드리사업부 (사진=삼성전자 제공)]

삼성전자가 최첨단 2나노 전기·전자장비(전장) 양산 준비를 오는 2026년까지 마무리하고 차세대 5나노 내장형 MRAM 계획을 밝혔습니다.

삼성전자는 현지시간 19일 자동차 산업의 메카인 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고 최첨단 공정 로드맵과 자동차 전기·전자장비(전장) 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했습니다.

삼성전자는 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료하는 한편, 차세대 내장형 MRAM과 전력반도체 생산 공정 포트폴리오를 확대합니다. 삼성전자는 지난 9월 초 IAA모빌리티 행사에 이어 이번 포럼에서도 유럽 자동차 고객과의 협력을 확대하며 전장 분야를 공략하겠다는 의지로 풀이됩니다.

내장형 MRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체입니다.

삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 내장형 MRAM을 탑재한 제품을 양산하고 있습니다. 내년까지 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 내장형 MRAM을 개발을 완료하겠다고 밝혔습니다. 오는 2026년 8나노·2027년 5나노까지 내장형 MRAM 포트폴리오를 확대할 계획입니다.

동시에 전력 반도체 생산에 활용되는 공정인 BCD 공정을 130나노에서 2025년 90나노까지 확대할 예정입니다. BCD 공정은 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로 주로 전력 반도체 생산에 활용됩니다.

또한, 전력반도체의 성능을 향상하는 DTI(Deep Trench Isolation)를 활용해 전장향 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트(Volt)에서 120볼트로 높일 예정이며, 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공할 계획입니다.

자동차 파트너 있는 유럽, 파운드리 생태계에 포섭 
삼성전자는 이번 포럼에서 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼를 활용한 레거시 공정까지 다양한 솔루션을 선보였고 파운드리 협업 생태계인 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들과 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했습니다.

동시에 삼성전자는 SAFE 파트너, 메모리, 패키지 기판, 테스트 전문 기업 등 20개 파트너와 함께 최첨단 패키지 협의체(MDI)를 구축했습니다.

삼성전자는 최첨단 패키지 협의체를 주도하며 전장과 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 응용처별 차별화된 2.5D, 3D 패키지 솔루션을 개발해 나갈 예정입니다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(Micro Controller Unit) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 밝혔습니다. 

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