취임 1주년 앞둔 이재용, 기흥·화성캠퍼스 찾아 ‘초격차’ 강조

19일 삼성전자 기흥캠퍼스를 찾은 이재용 회장이 차세대 반도체 R&D 단지 건설 현장을 점검하고 있다. 삼성전자 제공

회장직 취임 1주년을 앞둔 이재용 삼성전자 회장이 차세대 반도체 연구개발(R&D)단지 건설 현장을 찾아 “반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다”고 강조했다. 올해 들어 삼성전자 반도체 실적이 줄곧 부진한 데다 미·중 갈등으로 불확실성이 커지고 있는 가운데 기술 경쟁력을 뜻하는 ‘초격차’로 이를 극복하자고 강조한 취지다.

삼성전자는 이 회장이 기흥·화성 캠퍼스를 찾아 차세대 반도체 R&D 단지 건설현장을 둘러보고 반도체 전략을 점검했다고 19일 밝혔다.

이 회장은 “대내외 위기가 지속되는 가운데 다시 한번 반도체 사업이 도약할 수 있는 혁신의 전기를 마련해야 한다”며 “위기에도 흔들리지 않는 기술 리더십과 선행 투자가 중요하다”고 강조했다.

삼성전자 기흥캠퍼스에 건설되는 차세대 반도체 R&D 단지는 메모리, 팹리스 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 핵심 연구기지 역할을 맡게 된다. 연구와 생산, 유통이 한 곳에서 이뤄지는 복합형 단지로, 기술개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용될 수 있도록 인프라를 갖출 예정이다.

또 이 회장은 경영진 간담회에서 차세대 반도체 개발 현황을 보고받고 경쟁력 제고 방안도 논의했다. 간담회에는 경계현 DS(반도체)부문장, 이정배 메모리사업부장, 최시영 파운드리사업부장, 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등이 참석했다.

이 회장은 지난해 8월 윤석열 정부 특별사면으로 복권된 직후 첫 공개 일정으로 해당 R&D단지 기공식을 찾은 바 있다. 이번 취임 1주년(27일)을 앞두고 또다시 이곳을 찾은 데 대해 삼성전자 측은 “누구도 넘볼 수 없는 기술 격차를 통해 경제 위기를 극복하고, 글로벌 패권 경쟁에서 한국이 ‘반도체 강대국’으로서 유리한 고지를 선점하는 데 기여하고자 하는 의지의 표현”이라고 설명했다.

삼성전자는 올해 3분기까지 반도체 부문에서만 10조원이 넘는 누적 적자를 낸 것으로 추정된다. 삼성전자는 “이 회장은 기술로 정면 돌파하겠다며 선행 투자를 주도하고 있다”고 강조했다. 차세대 반도체 R&D 단지에는 2030년까지 약 20조원이 투입된다.

이 회장은 기흥캠퍼스 일정 이후 인근 인재개발원 콘서트홀에서 열린 이건희 선대회장 3주기 추모 음악회에도 참석했다. 이 선대회장의 3주기는 오는 25일이다. 앞서 전날 삼성전자는 한국경영학회와 함께 ‘이건희 회장 3주기 추모·삼성 신경영 30주년 기념 국제학술대회’를 열기도 했다.

김상범 기자 ksb1231@kyunghyang.com