DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 박차

DB하이텍 부천공장 전경. <DB하이텍 제공>

DB하이텍은 최근 차세대 전력반도체 GaN(갈륨나이트라이드), SiC(실리콘카바이드) 디바이스 제조에 필요한 핵심장비 도입 등 초기 투자를 단행하면서 개발에 박차를 가하고 있다고 18일 밝혔다.

GaN, SiC 소재의 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높은 것이 특징이다. 이에 따라 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G 등 최근 각광받고 있는 신규 고성장 분야에서 차세대 전력반도체로서 수요가 급증하고 있는 추세다.

시장조사업체인 욜디벨롭먼트는 GaN 시장이 2022년 1억8500만달러에서 2028년 20억3500만달러로 연평균 약 49%로 급속 성장할 것이라 예측했으며, SiC 시장은 2022년 17억9400만달러에서 2028년 89억600만달러까지 연평균 약 31% 성장할 것으로 전망한 바 있다.

DB하이텍은 GaN, SiC을 기반으로 경쟁우위의 주력 사업인 전력반도체 라인업 확대로 미래를 준비한다는 설명이다.

특히 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC은 1200볼트 이상의 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 매우 높고 아직 6인치가 주류를 이루고 있다. DB하이텍은 초기 8인치 시장에 적기 진입해 점유율을 높여 간다는 전략이다.

DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과의 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시켜 나가고 있으며, SiC은 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 함께 개발에 협력 중이다.전혜인기자 hye@dt.co.kr