DB하이텍, 차세대 전력반도체 라인업 확대···GaN·SIC 투자

장비 제조 핵심장비 도입···초기투자 나서

[서울경제]

8인치 파운드리(반도체 위탁생산) 전문기업인 DB하이텍(000990)이 차세대 전력반도체인 갈륨나이트라이드(GaN)·실리콘카바이드(SIC) 장비 제조를 위한 핵심장비 도입 등 초기 투자에 나섰다고 18일 밝혔다.

GaN·SIC 소재의 반도체는 기존 실리콘(SI) 기반 반도체 대비 고전압·고주파·고온에 강하고 전력 효율이 높다. 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5세대(G) 이동통신 등 최근 각광받는 신규 고성장 분야에서 차세대 전력반도체로서 수요가 급증하고 있다.

DB하이텍은 이번 투자를 바탕으로 전력반도체 라인업을 확대해 미래를 준비한다는 계획이다.

특히 아직 6인치 웨이퍼가 주류인 SIC 시장에서 초기 8인치 시장에 빠르게 진입해 점유율을 확대해 나간다는 전략을 세웠다. 전기차 인버터에 주로 적용되는 SIC는 1200볼트(v) 이상의 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 높다.

DB하이텍은 GaN 분야에서 GaN 전문 팹리스(반도체 설계 업체) 에이프로세미콘과 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상해 나가고 있다. SIC는 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 개발 협력을 하고 있다.

시장조사기관인 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 시장은 2022년 1억 8500만 달러에서 2028년 20억 3500만 달러로 연평균 약 49% 급속 성장할 전망이다. SIC 시장은 같은 기간 17억 9400만 달러에서 89억 600만 달러로 연평균 약 31% 성장할 것으로 내다 봤다.

진동영 기자 jin@sedaily.com