DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 나서

전기차 인버터용 SiC 8인치 시장 공략

DB하이텍 제공

DB하이텍은 최근 차세대 전력반도체인 GaN(갈륨나이트라이드)과 SiC(실리콘카바이드) 디바이스 제조에 필요한 핵심장비 도입하고 개발에 나섰다고 18일 밝혔다.

GaN과 SiC 소재의 반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하고 전력 효율이 높다. 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G 등 최근 고성장 분야에서 차세대 전력반도체로 수요가 급증하고 있다.

DB하이텍은 GaN과 SiC을 기반으로 전력반도체 라인업을 확대해 미래를 준비할 예정이다. 특히 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC의 8인치 시장에서 점유율을 높일 계획이다.

DB하이텍은 GaN 전문 팹리스(반도체 설계) 에이프로세미콘과의 기술 협력을 통해 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 특성을 높이고, SiC은 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 함께 개발 협력 중이다.

한편 시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 GaN 시장이 2022년 1억  8500만 달러에서 2028년 20억 3500만 달러로 연평균 약 49%로 성장할 것으로 예측했다. 또 SiC 시장은 2022년 17억 9400만 달러에서 2028년 89억 600만 달러까지 연평균 31% 성장할 것으로 전망했다.

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CBS노컷뉴스 장성주 기자 joo501@cbs.co.kr

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