DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발 나선다

SiC 8인치 시장 적기 진입으로 점유율 상승 공략

DB하이텍 부천공장

(서울=뉴스1) 신건웅 기자 = 파운드리 전문기업 DB하이텍(000990)이 차세대 전력반도체인 GaN(갈륨나이트라이드)·SiC(실리콘카바이드) 개발에 나선다.

DB하이텍은 최근 GaN과 SiC 디바이스 제조에 필요한 핵심장비 등을 도입하는 등 초기 투자를 단행했다고 18일 밝혔다.

GaN·SiC 소재의 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반의 반도체에 비해 고전압·고주파·고온에 강하고 전력 효율이 높다. 전기차와 신재생에너지, 고속충전, 5G 등 최근 각광받는 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하고 있다.

DB하이텍도 GaN·SiC를 기반으로 주력 사업인 전력반도체 라인업을 확대해 미래 대비에 나설 계획이다.

이에 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과의 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상해 나가고 있으며, SiC는 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 함께 개발에 협력 중이다.

특히 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC는 1200볼트 이상의 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 매우 높고 아직 6인치가 주류를 이루고 있다. DB하이텍은 초기 8인치 시장에 적기 진입해 점유율을 높여 간다는 전략이다.

한편 시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 GaN 시장이 지난해 1억8500만 달러에서 2028년 20억3500만 달러로 연평균 약 49%로 급속 성장할 것으로 예측했다. 같은 기간 SiC 시장은 17억9400만 달러에서 89억600만 달러까지 연평균 약 31% 성장할 전망이다.

keon@news1.kr