DB하이텍 “차세대 GaN·SiC 전력반도체 개발 총력”

DB하이텍 부천 공장./DB하이텍 제공

DB하이텍은 최근 차세대 전력반도체 GaN(갈륨나이트라이드)·SiC(실리콘카바이드) 디바이스 제조에 필요한 핵심장비를 도입하는 등 초기 투자를 단행하면서 개발에 박차를 가하고 있다고 18일 밝혔다.

GaN·SiC 소재 반도체는 기존 실리콘 기반 반도체보다 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높다. 이에 전기차, 신재생에너지, 고속충전, 5G 등 신규 고성장 분야에서 수요가 늘고 있다.

전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC은 1200볼트 이상의 초고전압을 견뎌야 해 기술적 난이도가 높다. 이 시장은 아직 6인치가 주류를 이루고 있으나, DB하이텍은 8인치 시장에 진입해 점유율을 높여 간다는 전략이다.

DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 에이프로세미콘과 협력해 파운드리 공정을 향상하고 있으며, SiC는 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 개발에 협력 중이다. DB하이텍은 “GaN·SiC를 기반으로 경쟁 우위 주력 사업인 전력반도체 라인업 확대로 미래를 준비할 것”이라고 밝혔다.

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