이정배 삼성전자 사장 “D램-V낸드 최고 집적도 주도”

사내 기고문서 차세대 전략 공개

“현재 개발 중인 11나노(nm·나노미터·1nm는 10억분의 1m)급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것입니다. 9세대 V낸드(수직으로 쌓아올린 메모리)는 더블스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중입니다.”

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 17일 삼성전자 반도체뉴스룸에 올린 기고문을 통해 차세대 메모리반도체 개발과 관련해 이같이 공개했다. 삼성전자는 현재 8세대 236단 낸드를 양산하고 있어 9세대는 300단 이상이 될 것으로 전망된다. 여기서 사용되는 더블스택 기술은 단일로 셀을 쌓는 싱글스택과 달리 낸드를 두 번에 나눠 제작한 뒤 결합하는 방식이다. 공정은 더 복잡하지만 그만큼 적층 수를 높일 수 있다.

이 사장은 “앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다”면서 “V낸드 단수를 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 고도화할 것”이라고 했다.

이어 “D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있다”며 “최근 업계 최고 용량인 32Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다. 향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대하여 1TB(테라바이트) 용량의 모듈까지 구현할 것”이라고 덧붙였다.

박현익 기자 beepark@donga.com