이정배 “11나노급 D램·9세대 V낸드로 초격차 이끈다”

11나노 D램 집적도 극한으로
9세대 V낸드는 최고단수 개발
업계 최고 DDR5 D램도 선봬

삼성전자가 현재 개발 중인 11나노급 D램과 9세대 V낸드의 집적도를 세계 최대 수준으로 끌어올려 초격차를 만들겠다는 의지를 나타냈다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 ”D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가겠다”고 밝혔다. 이 사장은 “현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것”이라며 “9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다”고 말했다. 이어 “앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다”며 “D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구 개발하고 있으며, V낸드는 단수를 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 강점을 고도화할 것”이라고 했다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대를 준비하겠다는 포부를 밝혔다. 뉴시스

최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32기가비트(Gb) DDR5 D램 개발에 성공했다.

이 사장은 이에 대해 “향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 1테라바이트(TB) 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나갈 것”이라며 “여기에 한 걸음 더 나아가 ‘CXL 메모리 모듈’(CMM) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다”고 말했다.

이 사장은 인공지능(AI) 시장 확대로 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 자신감도 나타냈다. 그는 “최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것”이라고 했다.

김범수 기자 sway@segye.com