이정배 삼성전자 사장 "D램·낸드 집적도 극한 수준으로 높인다"

뉴스룸 통해 혁신 기술 개발 강조···R&D 투자 의지도 드러내

[아이뉴스24 민혜정 기자] 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)이 D램과 낸드플래시 집적도를 극한의 수준으로 높이겠다는 포부를 밝혔다.

이정배 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 게재한 기고문을 통해 "D램은 3D 적층 구조, 신물질에 대해 연구개발하고 있고 V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이는 등 셀 간 간섭을 최소화하겠다"며 "업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 삼성전자의 강점을 고도화해 나갈 것"이라고 강조했다.

이어 "V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 개발하고 있다"고 덧붙였다.

이정배 삼성전자 사장 [사진=삼성전자 ]

이 사장은 "고대역폭메모리*HBM)는 인공지능(AI) 시대에 고객에게 새로운 가치를 제공할 수 있는 핵심 제품"이라며 "고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 수 있다"고 말했다.

이어 "기흥 캠퍼스에 첨단 반도체 연구·개발(R&D) 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어가겠다"고 덧붙였다.

/민혜정 기자(hye555@inews24.com)