삼성전자 "D램 낸드플래시 집적도, 극한 수준까지"

이정배 메모리사업부장 17일 홈피 글
20일 미국에서 메모리 테크 데이 개최

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 17일 이 회사 홈페이지 ‘뉴스룸’에 올린 글에서 “D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 설루션을 제안해 새로운 시장을 열어 갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장. 삼성전자 제공

김 사장은 “다가올 10 나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다. D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있으며 V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것”이라면서 이 같이 강조했다.

그는 이어 “현재 개발 중인 11 나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것이다. 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다”고 설명했다.

최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32Gb DDR5D램 개발에 성공했다. 향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대하여 1TB 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 설루션으로 확장할 것이라는 게 이 사장 생각이다.

김 사장은 “현재는 HBM3을 양산 중이고, 차세대 제품인 HBM3E도 정상 개발하고 있다”고 말했다.

저전력 특화 제품인 LPDDR D램은 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate·누설전류를 최소화하기 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술) 공정을 적용해 고성능을 구현하는 동시에, 모듈 형태로 구현한 LPDDR5X CAMM(Compression Attached Memory Module·LPDDR 패키지 기반 모듈 제품) 2 설루션으로 PC 시장은 물론 향후 데이터센터로 응용처를 확대한다는 게 삼성전자 계획이다.

이 사장은 “메모리의 주요 응용처는 PC와 모바일에서 데이터센터로 이동했다. 최근 초거대 AI는 메모리의 새로운 응용처로 급부상하고 있다”면서 “특히 PC와 스마트폰과 같이 사용자의 기기에서 AI를 구현할 수 있는 온디바이스 AI(On-device AI)가 확산되면서, 메모리 응용처는 더욱 확대될 것”이라면서 자신감을 내비쳤다.

그는 이어 “삼성전자는 ▷한계에 도전하는 기술 혁신 ▷선단 공정 및 고부가 제품 생산 비중 확대와 R&D 투자 강화 ▷고객, 파트너와의 강력한 협력 관계라는 세 가지 축을 기반으로 사업을 지속해 왔고 앞으로도 이를 더욱 강화하여 업계를 선도해 나갈 것”이라고 강조했다.

이와 관련, 삼성전자는 오는 20일, 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’를 열어 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 미래 전략을 소개할 예정이다.