삼성전자 “집적도 극대화한 11나노급 D램·9세대 낸드 개발”

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장). 삼성전자 뉴스룸

삼성전자가 집적도를 극대화한 11나노급 D램과 9세대 낸드플래시를 개발하고 있다고 밝혔다. 업계 가장 최선단 메모리 제품들이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 17일 삼성 반도체 뉴스룸을 통해 “앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 낸드 시대에는 새로운 구조와 소재 혁신이 중요하다”면서 이 같은 내용을 밝혔다.

이 사장은 “D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고, 낸드는 단수를 늘리면서 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화하고 있다”고 덧붙였다.

현재 삼성전자 최선단 D램과 낸드는 12나노급 DDR5 D램과 236단 규모 8세대 낸드다. 회사는 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램 양산을 시작했고, 4개월 만인 지난달 용량을 두 배로 늘린 제품을 추가로 선보였다. 11나노급 D램은 처리 속도가 더 빨라지고 용량도 늘어날 것으로 예상된다.

9세대 낸드는 300단 전후의 초고층 적층이 유력하다. 8세대보다 웨이퍼당 비트 집적도가 향상되고 데이터 입출력 속도가 빨라질 것으로 전망된다. 8세대 낸드는 업계 최고 수준 비트 밀도의 고용량 제품으로 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원하고 있다. 삼성전자는 내년 초 9세대 낸드를 양산할 계획이다.

삼성전자는 앞으로도 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 강점을 지속 고도화하며 메모리 시장에서 경쟁우위를 유지한다는 복안이다. 낸드의 경우 입출력 스피드를 극대화하기 위해 새로운 구조 도입을 준비하는 등 혁신 기술을 개발하고 있다.

메모리 응용처 수요를 고려해 고성능, 고용량, 저전력 기술을 모두 담은 제품군도 늘린다. CXL 메모리 모듈(CMM) 등 새로운 인터페이스를 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 늘릴 수 있게 미래를 준비한다.

이 사장은 “향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 1테라바이트(TB) 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나갈 것”이라며 “여기에 한 걸음 더 나아가 CXL 메모리 모듈(CMM) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다”고 소개했다.

인공지능(AI) 시장 확대로 급부상한 고대역폭 메모리(HBM)에 대한 자신감도 나타냈다. 삼성전자는 현재 HBM3를 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 개발 중이다.

이 사장은 “다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것”이라고 강조했다.

이밖에 저전력 특화 제품인 LPDDR D램은 누설전류를 최소화하는 공정으로 고성능을 구현하고, LPDDR 패키지 기반 모듈 LPDDR5X CAMM 2 솔루션으로 PC 시장과 데이터센터 시장을 공략할 계획이라고 소개했다. 페타바이트급으로 확장할 수 있는 PB SSD도 조만간 선보인다.

이 사장은 “삼성전자는 미래 준비를 위해 고부가 제품과 선단 공정 생산 비중을 확대하고 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 투자를 강화할 것”이라며 “고객·파트너사와 강력한 협력관계를 구축, 차세대 시스템과 응용에 최적화된 메모리 솔루션 공동 개발을 확대하고 글로벌 소재·장비 회사와 협력할 것”이라고 말했다.

한편 삼성전자는 20일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 메모리 테크데이 2023'을 열고 자사 최신 메모리 반도체 기술·제품과 미래 전략을 소개한다.

박종진 기자 truth@etnews.com