“AI 확산에 메모리 급부상… 삼성, D램 등 초격차 혁신”

이정배 메모리사업부장 강조

삼성전자가 개발 중인 11나노급 D램과 9세대 V낸드의 집적도를 업계 최대 수준으로 높여 초격차를 이끌겠다는 의지를 밝혔다.

이정배(사진) 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 오전 삼성전자 뉴스룸에 올린 ‘삼성 메모리의 혁신, 무한한 가능성을 열다’라는 제목의 기고문에서 “메모리의 주요 응용처는 PC와 모바일에서 데이터센터로 이동했다”며 “최근 초거대 인공지능(AI)은 메모리의 새로운 응용처로 급부상하고 있다”고 밝혔다. 이어 “PC와 스마트폰과 같이 사용자의 기기에서 AI를 구현할 수 있는 온디바이스 AI가 확산되면서 메모리 응용처는 더욱 확대될 것”이라고 전망했다. 이 사장은 삼성전자가 준비하고 있는 메모리 개발과 관련해 “앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다”고 말했다.

이어 “D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구·개발(R&D) 중”이라며 “V낸드는 단수를 지속해서 늘리면서 높이는 낮추고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 고도화해 나갈 것”이라고 말했다. 아울러 “현재 개발 중인 11㎚(나노미터·10억 분의 1m)급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성하고 9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발하고 있다”며 “내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다”고 덧붙였다.

최근 삼성전자는 업계 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다. 앞으로 고용량 D램 라인업을 계속 확대해 1TB(테라바이트) 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나갈 전망이다. 이 사장은 “고대역폭메모리(HBM)는 AI 시대에 고객에게 새로운 가치를 제공할 수 있는 핵심 제품 중 하나로, 현재는 HBM3를 양산 중이고 차세대 제품인 HBM3E도 개발하고 있다”고 말했다.

이승주 기자 sj@munhwa.com