삼성전자 "기술 혁신으로 메모리 집적 한계 돌파"

이정배 사장, 20일 삼성 테크데이 앞서 기고문
"메모리 혁신, 무한한 가능성"…초격차 자신감
"실패 두려워 않고 과감히 도전"…미래 비전 제시

[서울=뉴시스]이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대를 준비하겠다는 포부를 밝혔다. *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대를 준비하겠다는 포부를 17일 밝혔다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 오는 20일 미국 실리콘밸리에서 개최되는 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'를 앞두고, 삼성전자 반도체 뉴스룸에 '삼성 메모리의 혁신, 무한한 가능성을 열다'를 주제로 글을 기고했다.

그는 기고문에서 ▲한계에 도전하는 기술 혁신 ▲선단 공정 및 고부가 제품 생산 비중 확대와 R&D 투자 강화 ▲고객, 파트너와의 강력한 협력 관계라는 세 가지 축을 강화해 업계를 선도하겠다고 강조했다.

메모리 집적도 '극한'…고성능·고용량·고효율 시장 선도

이 사장은 먼저 "앞으로 다가올 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재의 혁신이 매우 중요하다"며 "D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있다. 이와 더불어 현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 또 업계 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 이어 1TB 용량까지 솔루션을 확장 중이다. 한 걸음 더 나아가, CMM(CXL Memory Module) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장한다는 계획이다. 저전력 특화 제품인 LPDDR D램도 모듈 형태로 구현한 LPDDR5X CAMM2 솔루션으로 PC 시장은 물론 향후 데이터센터로 응용처를 넓혀간다.

이와 함께 "V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하는 당사의 강점을 지속 고도화해 나갈 것"이라 밝혔다.

또 "V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위해 신구조 도입을 준비하는 등 새로운 가치 창출을 위한 차세대 혁신 기술을 착실히 개발 중"이며" "9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"고 강조했다.

특히 서버 스토리지 역시 응용처에 따라 용량을 변화시키고, 페타바이트(PB·10테라바이트)급으로 확장할 수 있는 PB SSD(솔리드스테이트저장장치)를 곧 선보일 예정이다.

고대역폭메모리(HBM)에 대해서는 "현재는 HBM3를 양산 중이고, 차세대 제품인 HBM3E도 정상 개발하고 있다"며 "앞으로도 다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 최고 성능의 HBM을 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것"이라고 밝혔다.

메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 PIM(Processing-in-Memory), PNM(Processing-near-Memory) 기술을 HBM, CMM 등의 제품에 적용한다. 또 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중한다는 계획을 전했다.

"과감한 R&D로 미래 준비"…고객·파트너 협력 관계 구축

고부가 제품과 선단 공정 생산 비중을 확대하고, R&D(연구개발) 투자도 강화한다.

삼성전자는 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다. 이와 동시에 투자는 지속하면서, 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임(Lead time)을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나간다.

삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어 간다.

이 사장은 또 "고객, 파트너사와의 협력을 확대해 상품기획, 기술개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척할 것"이라며 고객과 파트너사와의 강력한 협력 관계 구축을 언급했다.

그는 "클라우드 서비스 및 세트, 칩셋, 소프트웨어 업체와 함께 제품 사양 정의 단계부터 시작해 데이터 전송 속도 지연 최소화, 대역폭 극대화 구현과 획기적인 전력 효율 향상 등 차세대 시스템과 응용에 최적화된 메모리 솔루션의 공동 개발을 확대해 나갈 것"이며 "동시에 D램과 낸드플래시의 혁신적(Disruptive) 기술 준비를 위해 소재, 장비 등 전 세계 파트너사와의 협력도 강화할 것"이라고 밝혔다.

이 사장은 "그동안 삼성전자가 만들어 왔던 성과와 업적들은 실패를 두려워하지 않는 담대함과 반드시 이루고자 하는 간절함, 그리고 과감한 도전이 있었기에 가능했다"며 "초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 갈 것"이라고 강조했다.

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