이정배 삼성전자 사장 "10나노 이하 D램·1000단 V낸드 시대 주도"

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장/사진=삼성전자

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장이 "구조와 소재 혁신으로 10나노 이하 d램과 1000단 V낸드 시대 메모리반도체 업계 선두를 지속해 나가겠다"고 밝혔다.

이 사장은 17일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 '삼성 메모리의 혁신, 무한한 가능성을 열다'라는 제목의 기고문을 올리고 이같이 말했다.

이 사장은 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한 수준으로 높이고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열겠다고 전했다. 이 사장은 "D램은 3D 적층 구조와 신물질을 연구개발하고 있다"며 "V낸드는 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현할 것"이라고 말했다.

이와 더불어 "현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것"이라며 "9세대 V낸드는 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"고 밝혔다.

아울러 이 사장은 신규 솔루션 발굴에 나서 메모리의 무한한 가능성을 열겠다고 했다. AI(인공지능) 시대 도래로 메모리 주요 응용처와 기존의 PC와 모바일에서 데이터센터 등으로 확장된만큼, 메모리 본연의 저장 기능뿐만 아니라 연산 기능까지 추가로 요구되고 있다.

이 사장은 "데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 PIM(Processing-in-Memory), PNM(Processing-near-Memory) 기술을 HBM(고대역폭메모리), CMM(CXL 메모리모듈) 등의 제품에 적용해, 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중할 것"이라고 말했다.

이를 위해 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 늘리고 R&D(연구개발) 투자를 강화하겠다고 했다.

이 사장은 "초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다"며 "수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임(Lead time)을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나갈 것"이라고 말했다.

이 사장은 "삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 갈 것"이라고 글을 끝맺었다.

삼성전자는 이달 20일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 메모리 테크데이 2023'을 열고 삼성전자의 최신 메모리 반도체 기술과 제품, 미래 전략을 소개한다.

한지연 기자 vividhan@mt.co.kr