中 첨단 메모리 버젓이 사용 중…"美 규제 효과 없다"

SEMI 회원의 날 행사서 최정동 테크인사이트 펠로우 주장

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 미국이 중국의 반도체 자립을 견제하기 위해 강도 높은 수출 규제에 나섰지만, 정작 중국 스마트폰 제조사들의 첨단 메모리 사용 사례가 잇따르며 미국 규제에 허점이 크다는 목소리가 들린다.

11일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 국제반도체장비재료협회(SEMI) '회원사의 날' 행사에서, 최정동 테크인사이트 펠로우는 '메모리반도체 기술현황과 트렌드' 발표를 통해 이같이 밝혔다.

미국 상무부는 중국이 ▲18나노 이하 D램 ▲128단 이상 낸드플래시 ▲14나노 이하 로직반도체 등 첨단 반도체를 확보하지 못하도록, 지난해 10월부터 관련 제조장비의 중국 반입을 금지했다.

하지만 중국 업체들의 스마트폰 제품에서는 첨단 반도체 제품이 광범위하게 사용되고 있다. 테크인사이트는 화웨이, 샤오미, 오포, 비보 등 중국 스마트폰 제조사 제품을 분해해 리버스엔지니어링(역공학)으로 기술을 추적한 결과, 이같은 사실을 확인했다고 밝혔다.

화웨이에서 분사한 스마트폰 브랜드인 ‘아너’는 올해 1분기 출시한 '아너 매직6 프로(HONOR Magic5 Pro)'에 마이크론의 저전력 D램(LPDDR5)을 탑재했는데, 이 제품은 14~15나노 수준의 기술력을 사용해 제조했다.

또 화웨이가 지난 9월 공개한 '화웨이 메이트 60 프로' 제품 역시 SK하이닉스의 176단 낸드를 활용한 제품이 들어간 것으로 추정된다.

이뿐 아니라 샤오미와 오포, 비보 등도 18나노 이하 D램과 128단 이상의 낸드를 제품에 적용 중이다.

최 펠로우는 "미국의 반도체 규제에 상관 없이, 중국 스마트폰 제조사들이 엄청 많은 재고를 쌓아 놓고 부품을 사용 중"이며 "(미국 반도체 규제를 통한) 억제력 자체가 의미 없는 상태"라고 진단했다.

그는 중국 파운드리 업체인 SMIC가 미국의 규제를 피해 7나노 칩을 구현했다는 정황이 포착된 가운데, 중국 메모리 업체인 CXMT도 18나노 이하 D램을 생산할 수 있는 기술력을 확보한 것으로 추정했다.

최 펠로우는 "CXMT 21나노 D램에 대해 분석한 결과, 사실은 18나노 수준"이며 "미국의 규제 이후 CXMT는 (선폭의) 숫자를 쓰지 않고 G1(21나노), G3(19나노) 등으로 표시하고 있는데, 18나노 미만 제품을 판매하고자 하는 의도로 보인다"고 말했다.

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