삼성전자 "HBM4 2025년 목표로 개발…HBM3E 샘플 공급 예정"

황상준 D램개발실장 "AI 시대에 초고성능·초고용량·초저전력 메모리 제공"

(서울=연합뉴스) 김아람 기자 = 삼성전자가 6세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4를 2025년을 목표로 개발 중이라고 10일 밝혔다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 이날 삼성전자 뉴스름에 올린 기고문에서 "HBM4 제품에 적용하기 위해 고온 열특성에 최적화한 비전도성접착필름(NCF) 조립 기술과 하이브리드본딩(HCB) 기술도 준비 중"이라며 이같이 전했다.

HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 쌓아서 데이터 처리 속도를 끌어올린 메모리로, 인공지능(AI) 분야에서 쓰이는 그래픽처리장치(GPU)에 대거 탑재된다.

HBM은 2세대 HBM2, 3세대 HBM2E, 4세대 HBM3, 5세대 HBM3E, 6세대 HBM4 순으로 개발된다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 제조사들은 5세대와 6세대 제품 양산을 준비하고 있다.

황 부사장은 "삼성전자는 HBM2 제품을 거쳐 HBM2E, HBM3를 양산하고 있으며 9.8Gbps(초당 기가비트) 속도의 HBM3E 제품을 개발해 고객사에 샘플 공급을 시작할 예정"이라고 밝혔다.

아울러 "HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키 패키징 서비스도 제공해 AI·고성능컴퓨팅(HPC) 시대에 최고의 솔루션을 선보일 계획"이라고 덧붙였다.

또 그는 "D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공할 계획"이라고 강조했다.

rice@yna.co.kr

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