"TSMC 잡는다"…GAA 기술 가진 삼성전자, 3나노 고객사 유치

디자인하우스 에이디테크놀로지와 협력…3나노 서버향 칩 위탁
3~5나노 고객 유치 잇달아 성공…"안정적 수율·차세대 기술 덕분"

삼성전자 평택캠퍼스 전경. (삼성전자 제공)

(서울=뉴스1) 강태우 기자 = 삼성전자가 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정의 서버용 칩 신규 고객을 수주했다. 안정적인 수율과 GAA(게이트올어라운드) 등 파운드리(반도체 위탁생산) 기술 경쟁력을 바탕으로 국내외 고객사와의 협력을 더욱 확대하는 모습이다.

10일 업계에 따르면 디자인하우스 에이디테크놀로지(ADT)는 이날 삼성전자(005930) 파운드리 3나노 공정 기반의 서버향 반도체 설계 프로젝트 계약을 해외 고객과 체결했다고 밝혔다. 구체적인 고객사의 이름은 밝혀지지 않았지만 고성능컴퓨팅(HPC) 분야의 글로벌 팹리스(반도체 설계) 기업인 것으로 알려졌다.

정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 "에이디테크놀로지와 이번 3나노 설계 협력을 발표할 수 있게 돼 기쁘다"며 "이번 협력이 에코파트너와의 협력 프로그램에서 좋은 선례가 될 것"이라고 말했다.

ADT는 삼성전자의 디자인 솔루션 파트너(DSP)다. 삼성전자가 국내 DSP와 함께 3나노 고객 확보 사실을 밝힌 것은 이번이 처음이다. 삼성 파운드리는 차세대 트랜지스터 구조인 GAA를 적용한 3나노 공정 기반 2.5D 서버향 반도체를 생산할 계획이다.

'디자인하우스'는 반도체 기업 가운데 설계 최적화 및 검사를 맡는다. 팹리스(반도체 설계)와 파운드리의 가교 역할을 하는 셈이다. ADT는 이번에 수주한 팹리스 기업이 제품을 설계하고 난 뒤 삼성 파운드리가 이를 제 때 생산할 수 있도록 최적화 작업을 수행할 예정이다.

지난해 경기 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식에서 이창양 산업통상자원부 장관(가운데)과 경계현 삼성전자 대표이사(왼쪽), 최시영 사업부장이 파이팅을 외치고 있다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, GAA 역시 세밀한 제어로 반도체의 효율을 높이는 차세대 핵심 기술로 알려졌다.(공동취재) 2022.7.25/뉴스1 ⓒ News1 민경석 기자

한편 삼성전자는 꾸준히 GAA 기술에 대한 자신감을 드러내고 있다. 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC를 잡을 무기로도 거론된다.

경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 사장은 "삼성전자가 GAA 인벤터(창조자)로 경쟁자를 앞서는 모습을 볼 수 있을 것"이라고 밝혔다. 그러면서 "GAA에 대한 고객의 반응이 매우 좋다"며 "알 만한 거의 모든 기업이 같이 일하고 있다"고 강조했다.

삼성전자는 지난 2022년 6월 GAA를 3나노에 세계 최초로 도입했다. GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 전력 효율이 더 높아 차세대 기술로 각광받고 있다. TSMC는 현재 3나노에 기존 핀펫 방식을 적용하고 있다. 2025년 2나노부터 GAA를 도입하기로 하면서 해당 기술에선 삼성전자가 3년가량 앞섰다는 평가다.

특히 삼성전자는 안정적인 수율로 GAA 기반 3나노 1세대를 양산 중이다. 업계에선 삼성전자 3나노 수율을 60% 이상으로 추정하고 있다. 또 1세대 노하우를 바탕으로 3나노 2세대 공정 역시 차질없이 개발 중이며 내년 양산 예정이다.

삼성전자는 파운드리 경쟁력을 앞세워 고객 수주도 계속해서 따내고 있다. 삼성전자는 오는 2028년 파운드리 고객수를 지난 2017년 대비 5배 이상을 목표로 잡고 고객 유치에도 적극 나서는 중이다.

올해 2월 미국 암바렐라(Ambarella)와 5나노 기반 자율주행차용 반도체를 생산하기로 했으며, 최근에는 4나노 AI 반도체와 관련해 미국 '그로크(Groq)', 캐나다 '텐스토렌트(Tenstorrent)'와 국내 기업 '리벨리온(Rebellions)'과 협력을 이어가고 있다.

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