한밭대 김하영씨, 반도체 메모리 관련 논문 국제학술지 게재
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한밭대학교는 창의융합학과 학·석사통합과정 4학년 김하영씨의 비휘발성 메모리 반도체 관련 논문이 전기전자 소자 분야 저명 국제학술지인 'IEEE Electron Device Letters' 온라인판에 게재됐다고 5일 밝혔다.
본문 주저자인 김씨는 2학년부터 창의융합학과 연성전자소자연구실에서 연구를 지속해왔다.
간단한 구조적 접근을 통해 인듐-갈륨-아연-산화물 반도체 기반 비휘발성 메모리 소자의 문제점을 해결, 차세대 메모리 기술 발전에 기여할 것으로 기대된다.
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[대전=뉴시스]유순상 기자 = 한밭대학교는 창의융합학과 학·석사통합과정 4학년 김하영씨의 비휘발성 메모리 반도체 관련 논문이 전기전자 소자 분야 저명 국제학술지인 ‘IEEE Electron Device Letters’ 온라인판에 게재됐다고 5일 밝혔다.
본문 주저자인 김씨는 2학년부터 창의융합학과 연성전자소자연구실에서 연구를 지속해왔다.
이번 논문에서 플래시 메모리에 인듐-갈륨-아연-산화물을 반도체로 사용했을 때 지우기 동작이 되지 않는 문제점이 발생하는 원인을 체계적으로 밝히고 구조적 해결 방법을 제시했다.
간단한 구조적 접근을 통해 인듐-갈륨-아연-산화물 반도체 기반 비휘발성 메모리 소자의 문제점을 해결, 차세대 메모리 기술 발전에 기여할 것으로 기대된다.
한국연구재단의 중점연구소지원사업과 중견연구자지원사업 지원을 받았다.
☞공감언론 뉴시스 ssyoo@newsis.com
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