美, 반도체법 보조금 기업 첨단 반도체 中증설 5%로 제한 유지(종합)

美상무부 가드레일 규정 최종안 발표…28나노 이전 범용반도체는 10%

지나 러몬도 美 상무장관이. 2023.08.30/ ⓒ 로이터=뉴스1 ⓒ News1 장성희 기자

(워싱턴·서울=뉴스1) 이유진 기자 김현 특파원 = 미국 정부가 반도체과학법(CHIPS Act·이하 반도체법)에 따른 지원금을 받은 기업에 대한 중국 내 첨단 반도체 생산 능력 확장 범위를 초안대로 5%로 유지하기로 확정했다.

미 상무부는 22일(현지시간) 이같은 내용의 반도체법 가드레일(안전장치) 규정에 대한 최종안을 공개했다.

최종안에는 반도체법에 따른 보조금을 받은 기업이 보조금 수령 이후 10년간 중국 등 우려 국가에서 반도체 생산 능력을 '실질적 확장'을 금지하고, 해외 우려 기관과 국가 안보에 우려를 제기하는 기술 또는 제품과 관련한 공동 연구 또는 기술 라이선스 노력을 제한하는 내용이 담겼다.

이같은 가드레일 규정을 위반한 기업에 대해선 보조금을 회수할 수 있도록 했다.

우선 실질적 확장과 관련, 첨단 반도체의 경우 5% 이상, 28나노 이전 세대의 범용 반도체는 10% 이상이다.

첨단 반도체와 관련해선 전방 및 후방 공정 외에도 웨이퍼 생산이 반도체 제조 정의에 포함된다는 점을 명시했다고 미 상무부는 설명했다.

상무부는 "최종 규정은 확장된 반도체 생산 능력에 클린룸이나 기타 물리적 공간을 추가하는 것과 '실질적 확장'을 설비의 생산 능력의 5% 이상 증가시키는 것으로 정의했다"고 부연했다.

블룸버그통신은 "반도체법 시행 당국은 390억달러(약 52조845억원)의 보조금과 750억달러(100조1625억원)의 대출을 제공할 방침"이라며 "중국에서 생산량을 크게 늘리거나 물리적 제조 공간을 확장하는 경우 대상에서 제외될 것"이라고 설명했다.

상무부는 지난 3월 제시한 가드레일 초안에서 금지 대상인 '중대한(significant) 거래'를 10만 달러(약 1억3355만원) 이내로 규정했지만, 이번 최종안에서는 이 한도 규제가 빠졌다고 블룸버그는 전했다.

익명의 한 상무부 당국자는 "향후 '중대한 거래'에 대한 정의는 규정이 아니라 각 기업에 부여될 것"이라고 밝혔다.

블룸버그는 "이같은 조치는 인텔, TSMC, 삼성전자 등을 대변하는 정보기술산업위원회(ITIC)가 반대 의사를 표명한 후 나온 것"이라며 "이들 제조사 모두 미국 영토에 새로 들어설 시설에 대한 연방정부의 인센티브를 확보할 것으로 예상된다"고 보도했다.

또한 상무부는 생산능력만을 기준으로 삼던 제한 규정을 일부 수정, 정상적인 설비 운영과정에서 장비 개선을 통해 기존 시설을 유지할 수 있도록 했다.

상무부는 보도자료에서 이같은 제한은 "생산 능력을 확장하기 위한 소액의 거래도 포착하기 위한 것이지만, 보조금 수혜 기업이 정상적인 사업 과정의 장비 업그레이드 및 효율성 개선을 통해 기존 시설을 유지할 수 있도록 하기 위한 것이기도 하다"고 강조했다.

익명의 당국자는 "이 수정은 생산 능력이 매달 크게 달라질 수 있어 클린룸 및 기타 시설 확장을 더 잘 측정할 수 있다는 회사들의 요청을 반영한 것"이라고 설명했다고 블룸버그는 전했다.

지나 러몬도 상무장관은 이날 성명을 통해 "반도체법은 근본적으로 국가 안보를 위한 구상"이라고 밝혔다.

러몬도 장관은 "이번 가드레일은 우리가 글로벌 공급망 및 집단 안보를 강화하기 위해 동맹국 및 파트너와 협력을 지속함에 따라 미국 정부의 자금을 받는 기업들이 우리 국가안보를 훼손하지 않도록 하는 데에 도움이 될 것"이라고 강조했다.

앞서 한국 정부는 지난 3월 미 상무부가 제시한 기존 반도체법 가드레일 조항 초안과 관련, 5%로 제한된 첨단 반도체의 실질적인 확장 기준을 2배로 늘려달라고 요청한 바 있다.

gayunlove@news1.kr