화웨이 탑재 7나노칩…"삼성·SK하닉 위기의식 가져야"

"원가경쟁력 떨어져도 기술 진보 속도 지켜봐야"
中 EUV 노광기술 없이 첨단에 가까운 공정 기술력 증명

[서울=뉴시스] SMIC 7나노 공정이 적용된 기린9000s(Hi36A0) 칩 광학 사진(왼쪽)과 7나노와 일치하는 비트 셀 크기를 확인하는 웨이퍼 끝단. (사진=테크인사이츠) 2023.09.07. photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

[서울=뉴시스] 동효정 기자 = 중국 화웨이의 신제품 '메이트60 프로'에 탑재된 7나노미터 칩과 부품 기술력에 대해 삼성전자와 SK하이닉스가 "(중국 반도체 기술에) 위기의식을 가져야 한다"는 지적이 제기됐다.

7일 메이트60 프로 제품을 분해해 리버스엔지니어링(역공학)으로 기술을 추적한 테크인사이츠는 서울 역삼동 아시아 본사에서 '반도체 미디어데이'를 열고 "중국산 제품들이 양산 제품으로는 원가 경쟁력이 떨어질 수 있지만 신기술 채택이나 연구·개발 진보 속도는 유심히 지켜봐야 한다"고 밝혔다.

테크인사이츠에 따르면 SMIC 7나노 칩은 2세대에 해당하는데 1세대 버전과 달리 고성능 애플리케이션을 대상으로 CD(임계 치수) 감소, 셀 높이 감소에 따른 표준 면적 10% 감소로 7나노 공정의 가장 까다로운 기능 구현에 성공한 것이다. 중국이 EUV 장비의 노광 기술이 없는 상태에서 이처럼 최첨단에 가까운 공정을 제조할 수 있다는 사실은 주목할 만하다.

업계에서는 SMIC가 택한 방법은 2019년 대만 TSMC가 극자외선(EUV) 없이 구현했던 7nm(나노미터) 공정과 유사하다고 분석했다. 미세 공정을 위해 EUV로 알려진 ASML의 최첨단 장비가 필요하지만 미국 제재로 2019년부터 중국에는 EUV 판매가 제한되고 있다.

이에 SMIC는 7나노 칩을 제조하기 위해 DUV(심자외선)로 알려진 구형 장비를 사용했을 가능성이 높다. EUV를 이용한 첨단 공정으로는 한 번에 할 수 있는 작업을 DUV 노광 장비로 여러 번 반복해 미세 회로를 새기는 방식으로 우회한 셈이다. 이를 통해 7나노 칩 가격은 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 3개 제조사에 비해 높아질 수 있다는 평가다.

이에 대해 테크인사이츠 측은 "원가 경쟁력이 다소 떨어져도 정부의 막대한 지원과 내수가 뒷받침되기 때문에 삼성전자와 SK하이닉스는 긴장해야 한다"고 경고했다.

또 "국내 기업들의 경우 첨단 공정 개발 소요 시간이 과거에 비해 길어지고 있고, 중국 국영기업인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)의 경우 하이브리드 본딩 기술을 가장 빨리 적용해 오히려 삼성전자와 SK하이닉스가 따라하는 양상으로 가면서 위기의식을 키우고 있다"고 덧붙였다.

삼성전자와 SK하이닉스가 기존 사업 규모와 시장 리더십으로 고려할 사안이 많아지면서 경쟁사 대비 차세대 공정개발 속도는 더 늦어지고 있다는 분석이다.

업계 관계자는 "마이크론만 보더라도 일본과 미국 팹에서 각각 세대별로 개발을 병행하면서 내부 경쟁을 통해 개발 인력을 과감히 영입하고 있다"며 "장비 투자를 늦추더라도 3D 디램 등과 관련한 차세대 연구개발이나 지식재산권(IP) 확보에 적극적인 것도 주의해야 한다"고 말했다.

이어 "신기술 채택 발표나 세계 최고층 낸드 양산은 국내 제조사에서 했는데 이제 YMTC나 마이크론에서도 양산하는 현상이 지난해부터 지속되고 있어 삼성전자와 SK하이닉스의 위기의식을 키우고 있다"고 지적했다.

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