'초격차' 확보 나선 삼성전자… 역대급 'D램 신제품' 잇따라 개발

삼성전자가 D램 기술개발 속도를 높인다. 사진은 서울 서초사옥에서 흔들리는 삼성전자 깃발. /사진=뉴스1

삼성전자가 D램 신제품 개발 속도를 높이고 있다. 기술개발을 통해 후발주자들과의 격차를 벌리겠다는 목표다.

2일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 업계 최초로 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다. D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량으로 연내 양산될 계획이다.

삼성전자는 32Gb D램 개발을 통해 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 1983년 64킬로비트(Kb) D램을 개발한 바 있다.

이번 32Gb 제품은 동일 패키지 크기에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현한 게 특징이다. 이를 통해 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있게 됐다. 기존에는 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 만들 시 TSV 공정이 필수였다.

신제품은 동일 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈보다 소비전력을 약 10% 개선할 수 있다. 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT)기업들에 최적의 솔루션이 될 것으로 예상된다.

삼성전자는 앞서 32Gbps GDDR7 D램을 업계 최초로 개발하기도 했다. 이 제품은 기존 제품보다 데이터 처리 속도가 1.4배 빨라지고 전력 효율은 20% 향상됐다. 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 연내 검증이 시작될 예정이다.

32Gbps GDDR7 D램에는 'PAM3 신호 방식'이 신규 적용됐다. PAM3 신호 방식은 기존 NRZ 방식보다 동일 신호 주기에 1.5배 더 많은 데이터를 전송할 수 있는 기준이다. 신제품을 그래픽카드에 탑재하면 최대 초당 1.5테라바이트(TB)의 데이터를 처리할 수 있다. 30GB 용량 UHD 영화 50편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔다.

김동욱 기자 ase846@mt.co.kr
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