삼성전자, ‘현존 최대 용량’ 32Gb DDR5 D램 개발…연내 양산

삼성전자가 현존 최대 용량의 고성능 D램을 개발했습니다.

삼성전자는 오늘(1일) 업계 최초로 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다며 올해 안에 양산할 계획이라고 밝혔습니다.

삼성전자는 32Gb 제품 개발로 '실리콘 관통 전극'(TSV) 공정 없이 128GB(기가 바이트) 모듈을 제작하게 돼 16Gb 제품 대비 소비 전력을 약 10% 개선할 수 있게 됐다고 설명했습니다.

TSV 공정은 여러 개의 D램 수직으로 미세한 구멍을 뚫고 연결하는 첨단 패키징 기술입니다.

삼성전자가 TSV 공정을 최근 인공지능 개발 경쟁으로 수요가 급증하고 있는 고대역폭 메모리(HBM) 생산 과정에 집중 투입할 경우 HBM 생산성도 크게 향상될 것으로 기대됩니다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 황상준 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 밝혔습니다.

■ 제보하기
▷ 전화 : 02-781-1234, 4444
▷ 이메일 : kbs1234@kbs.co.kr
▷ 카카오톡 : 'KBS제보' 검색, 채널 추가
▷ 카카오 '마이뷰', 유튜브에서 KBS뉴스를 구독해주세요!

장덕수 기자 (joannes@kbs.co.kr)