삼성전자, 美 마이크론 출신 ‘3D D램’ 핵심 인력 영입

美 마이크론 출신 이시우 부사장 선임
AI 경쟁력 강화...3D D램 개발 가속도

삼성전자가 인공지능(AI) 시대 ‘미래 메모리’로 평가되는 3차원(3D) D램시장 주도권을 확보하기 위해 미국 반도체 기업인 마이크론에서 D램 핵심 인력을 부사장으로 영입한 것으로 파악됐다.

최근 역대 최대 용량인 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하며 D램 주력 칩 시장을 기술 리더십을 선점하게 된 삼성이 미래 D램 개발에도 박차를 가하며 AI를 중심으로 전개될 글로벌 메모리 지각변동에 선제적으로 대응하고 있다는 평가가 나온다.

1일 업계에 따르면 최근 삼성전자는 이시우 박사를 반도체 연구 관련 신임 부사장으로 영입했다. 이 부사장은 1996년부터 2009년까지 삼성전자에서 근무하다 2011년부터 최근까지 미국의 대표 반도체 기업인 마이크론에서 D램 기술을 개발했다.

이시우 신임 부사장이 연구한 3D D램 특허 관련 이미지 [미국 특허청 웹페이지 캡처]

이 부사장은 마이크론에서 3D D램 관련 연구를 하며 다수의 특허를 확보하는 데 기여한 것으로 알려졌다. 이 부사장은 ▷수직 3D 메모리를 위한 자체 정렬 에치백 ▷수직 3D 메모리를 위한 3노드 액세스 장치의 채널 통합 ▷수직 3D 메모리의 수평 액세스 장치 내의 에피택셜 실리콘 등과 다수의 3D 칩 관련 특허 출원에 참여한 것으로 나타났다.

3D D램은 미래 D램으로 불리는 메모리 업체들의 첨단 기술로 평가된다. 현재 D램 시장은 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 시장의 약 70%를 차지하고 있다. 그러나 전문가들은 중장기적 관점에서 3D D램 R&D에 힘을 싣고 기술력 확보에 나서야 한다고 강조하고 있다.

최근 AI 칩 시장이 그야말로 폭발적으로 성장하면서 고대역폭메모리(HBM)에 이어 미래 메모리 시장 선점을 위한 기업들 간의 경쟁이 치열하게 진행되고 있다. 3D D램 역시 AI 시대에 주목받는 미래 메모리로 평가된다. 3D D램은 같은 면적에 집적도를 높여, 기존 2D 구조의 D램보다 높은 성능을 낼 수 있는 것으로 전해진다. 또 초미세공정 경쟁을 하지 않아도 돼 극자외선(EUV) 장비의 필요성이 줄고 제조비용 역시 아낄 수 있다는 설명이다. 기존에 적층 구조로 생산되던 낸드플래시에 이어 D램을 적층, 한정된 공간에서 셀을 늘리는 기술을 구현하는 게 가능해졌다.

과거부터 메모리제조업체들은 반도체를 구성하는 트랜지스터와 캐패시터로 구성된 셀만 수십억개인 D램 성능을 개선시키기 위해 셀 크기를 작게 하고 간격을 줄이는 방식으로 기술을 발전시켜왔다. 한정된 공간에서 셀을 늘리는 데 물리적 한계치에 도달하고 있는 만큼 셀을 적층하는 3D D램 기술이 더욱 주목받게 됐다는 설명이다.

마이크론은 삼성에 비해 전체 글로벌 D램 시장 지배율이 떨어지지만, 3D D램 특허 등 관련 기술력에 있어서는 오히려 우위에 있는 것으로 평가된다. 반도체 시장 조사업체 테크인사이츠에 따르면 메모리반도체 시장 3위인 미국 마이크론은 지난해 8월까지 30개 이상의 3D D램 특허 기술을 확보하며 시장을 적극적으로 개척하고 있다. 세계 D램 시장 1·2위인 삼성전자(15개 이하)와 SK하이닉스(10개 내외)에 비해 2~3배 많은 3D D램 관련 특허를 선점했다는 분석이다.

업계 관계자는 “삼성이 이번 이 부사장 영입을 바탕으로, 3D D램 시장의 강자로 부상할 수 있을지 주목된다”고 말했다. 김지헌 기자

raw@heraldcorp.com