삼성전자, 현존 최대 용량 DDR5 D램 개발…고용량 라인업 확대

삼성전자가 새로 개발한 현존 최대 용량32Gb DDR5 D램. 삼성전자 제공

삼성전자는 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다.

삼성전자는 앞서 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했다. 지난 1983년 64Kb D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현해, 128GB 모듈을 TSV(실리콘 관통 전극) 공정 없이 제작 가능하게 된 것이 특징이다.

TSV는 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다. 최근 시장 관심도가 높아지는 고대역폭메모리(HBM) 역시 이 공정이 필수적이다. TSV 기술을 사용하지 않는 고용량 D램 모듈이 가능해졌다는 것은 한정된 TSV 설비를 HBM에 더 많이 사용할 수 있다는 의미라는 게 회사 측 설명이다.

아울러 이번 신제품 D램은 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 연내 양산할 계획으로, 향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나갈 계획이다. 또한 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력하여 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 예정이다.AI, 메타버스 등 최근 부상하고 있는 산업들은 모두 대량의 데이터를 요구하는 산업으로, 컴퓨터 처리량이 기하급수적으로 증가하면서 메모리반도체 역시 필연적으로 성장할 것으로 기대된다. 시장조사업체 IDC에 따르면 글로벌 서버당 D램 탑재량은 올해 1.93TB에서 오는 2027년에는 3.86TB로 두 배 가까이 확대될 것으로 예상된다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했다.전혜인기자 hye@dt.co.kr