삼성전자, 현존 최대 용량 32Gb DDR5 D램 개발… 연내 양산
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삼성전자가 업계 최초 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다.
1일 삼성전자에 따르면 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 최근 업계 최대 용량인 32Gb D램 개발에 성공했다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 예정이다.
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1일 삼성전자에 따르면 지난 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한 데 이어 최근 업계 최대 용량인 32Gb D램 개발에 성공했다. 양산은 연내 진행할 계획이다.
32Gb 제품은 동일 패키지 크기에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 이를 통해 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작할 수 있게 됐다.
기존에는 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 시 TSV 공정 사용이 필수였다.
128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능한 것도 장점이다. 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 정보기술(IT) 기업들에 최적의 솔루션이 될 전망이다.
삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 예정이다. 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 방침이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다"며 "차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했다.
김동욱 기자 ase846@mt.co.kr
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