예스티 "HBM 차세대 공정장비 개발 중"

[서울=뉴시스] 김경택 기자 = 반도체 장비 전문기업 예스티는 자체 온도·압력제어 관련 특허기술을 활용해 인공지능(AI) 반도체인 고대역폭메모리(HBM)의 고도화를 위한 필수공정 장비 개발을 진행하고 있다고 24일 밝혔다.

예스티에 따르면 회사가 개발 중인 장비는 HBM의 핵심공정 중 하나인 언더필 공정에 사용되는 차세대 웨이퍼 가압장비다. 예스티는 기존의 가압설비를 스펙·성능 면에서 고도화해 개발하고 있다.

예스티는 지난 2011년 웨이퍼 가압장비를 개발했으며, 지속적인 연구개발을 통해 관련 기술을 축적해 왔다. 현재 가압 열처리 장치, 공정처리용 챔버 장치, 반도체 부품용 듀얼 챔버장치 등 가압장비 분야에서 9개 핵심 특허기술을 보유하고 있으며, 2건의 특허를 출원해 심사 중으로 탄탄한 진입장벽을 구축하고 있다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓은 뒤 연결해 데이터 처리 용량과 속도를 일반 D램 대비 10배 이상 높인 첨단 메모리반도체다. HBM을 생산하기 위해서는 ▲적층된 칩을 수직으로 관통하는 TSV(Through Silicon Via·관통 전극) 공정 ▲칩과 칩을 접착하는 본딩 공정 ▲본딩 후 사이 공간을 절연수지로 채우고 경화하는 언더필(Under Fill) 공정이 핵심으로 꼽힌다.

이중 언더필 공정은 적층된 칩을 충격, 온도변화, 습도, 먼지 등 외부 환경으로부터 손상을 예방할 뿐 아니라 다층 적층에 따른 뒤틀림도 방지해 HBM의 성능을 보호한다. 웨이퍼 가압 장비는 언더필 공정에서 칩과 칩 사이의 공간에 기포 등 불순물을 없애고 절연수지를 균일하게 경화시키는 역할을 한다.

예스티 관계자는 "챗GPT가 몰고 온 생성형AI(인공지능) 열풍으로 향후 HBM의 수요가 급증할 것으로 예상되고, HBM 시장을 차지하기 위한 글로벌 반도체 회사들의 경쟁이 뜨겁다"며 "예스티는 핵심 특허 기술을 기반으로 점차 고도화되고 있는 HBM 생산 시 적용가능한 차세대 웨이퍼 가압장비를 개발하고 있다"고 말했다.

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