윌리엄 그림 인텔 부사장 “인텔4는 10년 새 최고의 공정”… 삼성·TSMC 따라잡았다

EUV 도입 이후 공정 안정화 속도… “기술 리더십 되찾았다”

윌리엄 그림 인텔 로직 기술·개발부문 디렉터는 22일(현지시각) 말레이시아 페낭에서 진행된 인터뷰에서 "인텔4 공정은 지난 10년간 인텔에서 개발된 최고의 공정"이라고 말했다./페낭=황민규 기자

“23년 동안 인텔에서 새로운 공정 개발을 맡아왔다. (인텔 메테오레이크에 적용될) ‘인텔4′ 공정은 지난 10년간 인텔이 개발한 공정 중 가장 빠른 속도로 개발된, 최고의 노드라고 자신한다.”

윌리엄 그림(William Grimm) 인텔 로직 기술·개발부문 디렉터는 22일(현지시각) 말레이시아 페낭에서 진행된 인터뷰에서 이같이 말했다. 인텔이 올해 하반기 공개할 메테오레이크(코드명) 신제품은 7나노급으로 분류되는 인텔4 공정에서 생산된다.

인텔이 자사의 반도체 공정에 붙이는 숫자는 삼성전자, TSMC와는 다른 방식이다. 인텔은 현재 나노(nm) 대신 인텔4, 인텔3 등 숫자를 붙이고 있는데 인텔4의 경우 업계에서 7나노급으로 분류된다. 다만 집적도나 트랜지스터 특성 측면에서 삼성전자, TSMC의 3나노 공정과 비슷하거나 더 뛰어나다는 분석도 있다.

반도체 컨설팅업체인 IC날리지LLC에 따르면 인텔4는 7나노 공정임에도 불구하고 TSMC의 3나노(N3E) 공정, 삼성전자의 3나노(GA3)에 비해 트랜지스터 집적도가 높다. 성능 측면에서는 아직 직접적인 비교가 불가능하지만, 3나노에 비해 두 세대 이상 뒤처진 7나노 공정이라는 점을 감안하면 기대 이상의 결과물이다.

인텔4는 인텔이 처음으로 극자외선(EUV) 노광장비를 사용한 공정이기도 하다. 그림 디렉터는 “(삼성, TSMC에 비해) EUV 도입이 늦었던 이유는 10나노 공정이 EUV와 잘 맞지 않았기 때문”이라며 “인텔4부터는 EUV에 최적화된 설계로 복잡성 문제를 해결했다”고 설명했다. 이어 “인텔4는 인텔이 마침내 EUV를 통해 공정 부문에서 리더십을 되찾았다는 의미가 있다”라고 덧붙였다.

그림 디렉터는 삼성전자, TSMC의 3나노 공정과 비교해 인텔4의 강점으로 전성비(전력 대비 성능비율)를 내세웠다. 그는 “아직 구체적인 사항을 논할 수는 없지만 인텔4의 경우 전력 효율성을 크게 신경 썼다”며 “사람들은 배터리가 더 오래 가는 노트북을 원하고, 더 높은 수준의 컴퓨팅을 원한다”라고 덧붙였다.

EUV 공정에 대한 자신감도 드러냈다. 그는 “인텔4에서 EUV를 도입하면서 비용 측면에서 이점이 생겼다. 복잡성이 줄어들면서 공정 내에서 더 적은 마스크를 사용한다는 장점도 있었다”라고 말했다. EUV 장비와 생산능력에 대한 질문에는 “향후 5~6년간은 문제가 없을 정도의 생산능력을 확보했다”라고 답했다.

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