에이엘티, SiC 웨이퍼 경제성 높이는 후공정 특허 출원

에이엘티가 '열 충격이 없는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 후공정 다이싱 장치 및 공법'에 대한 특허를 출원했다고 21일 밝혔다.

SiC와 실리콘(Si) 웨이퍼 다이싱 공법 관련 특허다. 웨이퍼 소잉시 열적 손상과 오염물질 발생을 극도로 억제, 다이 수 증대와 수율·품질 안정화를 달성할 수 있는 기술이다.

에이엘티가 개발한 Si 기반 전력반도체 IGBT에 적용되는 림컷 기술을 차세대 전력반도체 SiC에도 응용할 수 있게 특허를 출원했다. SiC 웨이퍼는 경도가 높아 Si에 적용되는 기존 다이싱 기술로는 가공 시간이 길어지고 품질 열화의 가능성이 높다.

회사는 특허 기술을 활용하면 상대적으로 고가인 SiC 웨이퍼 경제성 확보를 위해 다이 수를 늘릴 수 있게 절단폭 최소화가 가능할 것이라고 설명했다.

에이엘티 관계자는 “고온·고전압 환경에서 유리하고 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차·신재생 발전설비 등에 주로 적용될 것”이라며 “선제 기술개발로 고객 니즈에 부합하도록 노력하겠다”고 밝혔다. 에이엘티는 시스템 반도체 분야 후공정 테스트 전문기업이다.

박종진 기자 truth@etnews.com