SK하이닉스 ‘세계 최고사양 D램’ 개발… 엔비디아에 샘플 공급

고대역폭 5세대 모델 ‘HBM3E’
내년 상반기 양산… 시장지위↑

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 고대역폭 메모리(HBM)의 세계 최고 사양 5세대 모델인 HBM3E(사진) 개발에 성공했다. SK하이닉스가 이 제품의 개발 성공을 공식적으로 밝힌 것은 이번이 처음이다. SK하이닉스는 성능 검증을 위해 AI 반도체 시장을 주도하고 있는 미국 엔비디아를 대상으로 샘플 공급에 들어갔다.

SK하이닉스는 “HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 토대로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다”고 21일 밝혔다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 D램보다 높은 데이터 처리 속도를 보이는 고성능 메모리로 AI용 그래픽처리장치(GPU)에 탑재된다.

이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족했다고 SK하이닉스는 설명했다. 속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 풀고화질(FHD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드 ‘MR-MUF’ 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 높였다.

삼성전자도 AI 반도체 기술 강화에 나섰다. 삼성전자는 AI 기술을 활용한 차세대 반도체 연구 역량 강화를 위해 AI와 컴퓨터 공학(CE) 분야 국내 우수 인력을 발굴하고, 연구 생태계를 강화한다. 삼성전자 SAIT(옛 삼성종합기술원)는 이날부터 10월 20일까지 2개월간 국내 대학 학부생과 대학원생을 대상으로 ‘삼성 AI·CE 챌린지 2023’을 개최하고, 차세대 기술 리더들의 연구를 지원한다고 밝혔다.

임정환 기자 yom724@munhwa.com