에이엘티, 반도체 특허 출원…“선제적 기술개발”
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반도체 전문기업 에이엘티(172670)가 반도체 관련 특허를 출원했다.
에이엘티는 '열충격이 없는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 후공정 절삭(Dicing) 장치 및 공법'에 대한 특허를 출원했다고 21일 밝혔다.
에이엘티 관계자는 "고온 고전압 환경에서 유리하고, 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차 및 신재생 발전설비 등 성장산업 분야에서 주로 사용되고 있다"며 "이번 선제적 기술개발로 산업 발전과 함께 수요가 급격히 증가할 것"이라고 전망했다.
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[이데일리 최훈길 기자] 반도체 전문기업 에이엘티(172670)가 반도체 관련 특허를 출원했다.
에이엘티는 ‘열충격이 없는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 후공정 절삭(Dicing) 장치 및 공법’에 대한 특허를 출원했다고 21일 밝혔다. 이번 기술은 웨이퍼에 가해지는 열 손상 및 오염물 안착을 최소화하는 기술이다. 획기적으로 수율을 극대화할 수 있는 첨단 기술로 꼽힌다. 에이엘티는 지난달 코스닥에 상장한 비메모리 반도체 분야 후공정 테스트 전문기업이다.
앞서 에이엘티는 Si 반도체에 적용되는 림 컷(Rim Cut) 기술을 국내 유일하게 상용화에 성공했다. 이를 기반으로 차세대 전력 반도체인 SiC에 응용할 수 있는 첨단 기술을 상용화하기 위해 이번 특허를 출원했다. 또한 열 충격이 없는 SiC 웨이퍼 후공정 Dicing 기술은 다양한 산업에도 적용할 수 있는 기술로 주목받고 있다.
에이엘티 관계자는 “고온 고전압 환경에서 유리하고, 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차 및 신재생 발전설비 등 성장산업 분야에서 주로 사용되고 있다”며 “이번 선제적 기술개발로 산업 발전과 함께 수요가 급격히 증가할 것”이라고 전망했다.
최훈길 (choigiga@edaily.co.kr)
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