SK하이닉스, AI용 초고성능 D램 HBM3E 개발

SK하이닉스가 인공지능(AI)용 초고성능 메모리 반도체 D램 신제품인 'HBM3E' 개발에 성공했습니다.

SK하이닉스는 HBM3E의 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급했다고 21일 밝혔습니다.

내년 상반기부터 양산에 들어갈 계획입니다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품입니다.

SK하이닉스가 이번에 개발한 HBM3E는 5세대 제품으로 업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 독점적으로 양산해 온 'HBM3'의 확장(Extended) 버전입니다.

SK하이닉스는 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했습니다.

속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있는데 이는 약 5GB(기가바이트) 크기의 FHD(Full-HD)급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있습니다.

SK하이닉스 기술진은 이와 함께 이번 제품에 '어드밴스드 MR-MUF' 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰습니다.

이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 데, 열 방출에 효과적인 것으로 알려졌습니다.

또 HBM3E는 하위 호환성(Backward Compatibility)도 갖춰, 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있습니다.