SK하이닉스, 엔비디아에 'HBM3E' 샘플 공급…내년 상반기 양산

1초에 FHD 영화 230편…'MR-MUF' 기술로 열 방출 성능↑
AI용 차세대 메모리반도체로 엔비디아와 협업 가속

SK하이닉스 'HBM3E' 이미지. (SK하이닉스 제공)

(서울=뉴스1) 강태우 기자 = SK하이닉스(000660)는 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 'HBM3E'의 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.

HBM(고대역폭메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가·고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐으며 HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

SK하이닉스는 "HBM3을 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다"며 "업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다"고 밝혔다.

이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도, 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 부분을 충족시켰다고 SK하이닉스는 설명했다.

속도에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(풀 HD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

아울러 어드밴스드 'MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfil)' 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. HBM3E는 하위 호환성도 갖춰 HBM3을 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.

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