SK하이닉스, 한발 또 앞섰다…AI용 D램 'HBM3E' 성능검증

4세대 HBM3보다 속도·발열제어 향상…내년 상반기 양산
엔비디아 "차세대 AI 컴퓨팅 위해 양사 협업 계속"

SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 AI(인공지능)용 초고성능 D램 신제품인 'HBM3E' 개발에 성공하고 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존의 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치‧고성능 제품이다. 5세대인 HBM3E는 기존 4세대인 HBM3의 확장(Extended) 버전이다.

SK하이닉스는 HBM3E가 AI용 메모리 필수 사양인 △속도 △발열 제어 △고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족했다고 설명했다.

속도 측면에서 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 풀HD(FHD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

또 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존보다 10% 향상했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 회로를 보호하기 위해 칩과 칩 사이 액체 형태의 보호제를 주입하고 굳히는 공정이다. 기존 공정보다 효율적이고 열 방출에도 효과적이다.

엔비디아 하이퍼스케일‧HPC 담당 이안 벅 부사장은 "엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해 왔다"면서 "앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사 간의 협업이 계속되길 기대한다"고 말했다.

한편 HBM3를 독점적으로 양산하고 있는 SK하이닉스는 내년 상반기부터 HBM3E 양산을 시작할 예정이다.

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CBS노컷뉴스 장성주 기자 joo501@cbs.co.kr

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