최고층 기록 갈아치운 SK하이닉스… 낸드 신기술 개발 '박차'

SK하이닉스가 낸드 플래시 기술 개발 속도를 높인다. 사진은 경기 이천 SK하이닉스 본사. /사진=뉴스1

SK하이닉스가 300단 이상의 4D 낸드 샘플을 공개하는 등 신기술 개발 속도를 높이고 있다. 챗GPT 등 생성형 인공지능(AI) 성장에 따라 고성능·고용량 메모리 수요가 늘고 있는 상황에서 기술력으로 사업 경쟁력을 확보하겠다는 의도로 관측된다.

10일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 미국 산타클라라에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 개발 단계의 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드 플래시 샘플을 전시했다. 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다.

SK하이닉스는 오는 2025년 상반기부터 321단 낸드를 양산할 방침이다. 해당 제품은 이전 세대인 238단 512기가비트(Gb) 대비 생산성이 59% 높아진 게 특징이다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층해 한 개의 칩에서 더 큰 용량을 구현할 수 있게 된 영향이다.

321단 낸드 샘플 공개는 지난해 8월 현존 세계 최고층 낸드인 238단 개발에 성공한 지 약 1년 만이다. SK하이닉스는 지난해 8월 238단 개발에 성공한 뒤 해당 제품을 기반으로 스마트폰과 PC용 cSSD 솔루션 제품을 개발, 올 5월부터 양산에 시작했다.

SK하이닉스가 개발 중인 321단 4D 낸드. /사진=SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 플래시 메모리 서밋 2023에서 321단 낸드 샘플 외에 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대 인터페이스를 적용한 기업용 SSD와 UFS 4.0도 공개했다. 고성능·고용량 메모리 수요 확대에 대응해 나가겠다는 의지를 내비친 것이란 평가다. SK하이닉스는 해당 제품들이 업계 최고 수준의 성능을 확보, 고성능을 강조하는 고객 요구를 충족시킬 수 있을 것으로 봤다.

낸드플래시는 2010년대 들어 물리적 한계를 극복하기 위해 셀을 수직으로 쌓는 방식이 보편화 됐다. 셀을 높이 쌓을수록 좁은 면적에서 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 적층 단수가 중요한 요소로 꼽힌다.

최정달 SK하이닉스 부사장은 "AI 시대가 요구하는 고성능·고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다"고 밝혔다.

김동욱 기자 ase846@mt.co.kr
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