SK하이닉스, 321단 초고층 낸드 공개

'마의 300단' 세계최초 돌파
AI용 고성능 제품 기선제압

SK하이닉스가 낸드플래시에서 마의 벽으로 불렸던 '300단' 고지를 세계 최초로 돌파하는 데 성공했다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 쌓으면 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 그만큼 늘어나게 된다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아에서 개막한 '플래시 메모리 서밋'에서 321단 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 샘플을 공개했다. SK하이닉스는 321단 낸드 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산할 계획이다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체인데, 셀을 수직으로 쌓아올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 경쟁력의 핵심 요소다. 이 때문에 메모리 업계에서는 최근 초고층 낸드 쌓기 기술 경쟁이 치열하게 펼쳐지고 있다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당(부사장)은 "인공지능(AI) 시대가 요구하는 고성능·고용량 낸드를 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어 가겠다"고 밝혔다.

삼성전자도 지난해 11월 236단(8세대) 낸드 양산을 시작했고, 내년에는 300단 이상 제품을 양산하겠다고 예고한 상태다. 삼성전자는 "원가 경쟁력을 확보하며 단을 높여서 2030년엔 1000단 제품을 선보일 계획"이라고 밝혔다.

[오찬종 기자]