SK하이닉스, 최고 적층 ‘321단 낸드’ 공개

美 플래시 메모리 서밋서 샘플 전시
삼성, 차세대 메모리 솔루션 선봬

세계 최고 적층 기술이 적용된 321단 4D 낸드 [SK하이닉스 제공]

SK하이닉스와 삼성전자가 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit·이하 FMS) 2023’에서 차세대 메모리 반도체 솔루션을 대거 공개했다. FMS는 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 콘퍼런스다.

이날 SK하이닉스는 세계 최적층 321단 1Tb(테라비트) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고, 개발 단계의 샘플을 전시했다. ▶관련기사 3면

메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 건 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획이다. 적층 한계를 돌파해 300단대 낸드 시대를 본격적으로 열 것이라고 강조했다.

SK하이닉스는 차세대 낸드 솔루션 제품인 ‘PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스’를 적용한 기업용 SSD(Enterprise SSD·eSSD)와 UFS 4.0도 소개했다.

최근 챗(Chat)GPT와 같은 생성형 AI 시장의 성장으로 더 많은 데이터를 더 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능, 고용량 메모리 수요가 급격히 증가하는 것에 대응하기 위해서다. 또한 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수한 사실을 알리며, 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지를 피력했다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 행사 기조연설에서 “당사는 4D 낸드 5세대 321단 제품을 개발해 낸드 기술리더십을 공고히 할 계획”이라며 “AI 시대가 요구하는 고성능, 고용량 낸드를 시장에 주도적으로 선보이며 혁신을 이끌어가겠다”고 말했다.

삼성전자도 업계 최고 성능의 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 SSD(솔리드 스테이트 드라이브)를 포함한 서버·PC·오토모티브 등 다양한 응용별 차세대 스토리지 솔루션과 기술을 선보였다. 업계 최고 성능(8채널 기준)의 PCIe 5.0 데이터센터용 SSD ‘PM9D3a’를 비롯해 ▷생성형 AI 서버에 적용되고 있는 높은 전력 효율의 ‘PM1743’ ▷고집적도를 구현한 ‘256TB SSD’ 등이 대표적이다.

삼성전자 미주총괄장인 한진만 부사장이 ‘AI 시대에서의 메모리 혁신’을 주제로 오프닝 연설을 진행한 후, 이어 송용호 메모리사업부 솔루션개발실 부사장이 ‘고객 경험을 향상시키는 혁신적인 메모리 솔루션’을 주제로 기조연설을 진행했다.

8채널 컨트롤러 기반의 업계 최고 성능을 자랑하는 ‘PM9D3a’는 전세대 제품 대비 임의 쓰기 성능이 2배 향상됐다. 클라우드 서비스 등을 이용하는 고객이 더 빠른 서비스를 제공받을 수 있을 것으로 기대된다.

또한 쿼드러플레벨셀(QLC) 기반의 고용량 ‘256TB SSD’는 업계 최고 수준의 집적도를 달성했다고 밝혔다. QLC는 데이터 저장 최소단위인 셀(Cell)당 저장할 수 있는 비트(Bit) 수가 가장 많은 최신 기술로 꼽힌다.

김민지 기자

jakmeen@heraldcorp.com